半導体装置とその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：池上徹真 , 須藤章 , 松山允之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-211150
公開番号（公開出願番号）：特開2014-065099
特許番号：特許第6095308号
出願日： 2012年09月25日
公開日（公表日）： 2014年04月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板表面に複数個の半導体素子が形成された半導体装置であって、半導体基板と、前記半導体基板に形成された絶縁膜層(BOX層)からなる壁面と、無機薄膜からなる表面とで構成される中空空間に、前記半導体素子の可動部が配置されて、前記無機薄膜は、Poly-Si膜である第1無機薄膜と、Poly-Si及びSiCの複合薄膜である第2無機薄膜の積層膜であり、前記第1無機薄膜は、前記可動部側に存在し、エッチングホールを有する薄膜である半導体装置。

IPC (2件)：