半導体装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-034678
公開番号（公開出願番号）：特開2017-152578
出願日： 2016年02月25日
公開日（公表日）： 2017年08月31日
要約：

【課題】半導体装置を小型化することが可能な技術を提供する。【解決手段】本明細書が開示する半導体装置は、半導体素子層と、半導体素子層の上方に形成された多層配線層を備える半導体基板と、多層配線層の上方に形成された入出力パッドと、多層配線層の上方に形成されており、半導体基板を別の基板と機械的に接合する接合部を備えている。半導体装置は、多層配線層内に、半導体装置を上方から平面視したときに、半導体基板内の内部回路領域と入出力パッドを取り囲むように配置された電源電位回路領域を備えている。半導体装置を上方から平面視したときに、入出力パッドは、内部回路領域よりも外側に配置されており、接合部は、入出力パッドよりも外側に配置されている。半導体装置を上方から平面視したときに、電源電位回路領域と接合部が、少なくとも部分的に重なり合っている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの半導体素子が形成された半導体素子層と、半導体素子層の上方に形成された多層配線層を備える半導体基板と、多層配線層の上方に形成された入出力パッドと、多層配線層の上方に形成されており、半導体基板を別の基板と接合する接合部を備えており、多層配線層内に、半導体装置を上方から平面視したときに、半導体基板内の内部回路領域と入出力パッドを取り囲むように配置されており、内部回路領域に少なくとも1つの電源電位を供給する電源電位回路領域を備えており、半導体装置を上方から平面視したときに、入出力パッドが、内部回路領域よりも外側に配置されており、接合部が、入出力パッドよりも外側に配置されており、半導体装置を上方から平面視したときに、電源電位回路領域と接合部が、少なくとも部分的に重なり合っている、半導体装置。

IPC (12件)：

H01L 21/822 , H01L 27/04 , B81B 3/00 , B81B 7/02 , H01L 23/522 , H01L 21/768 , H01L 21/320 , H01L 29/84 , H01L 21/02 , G01L 9/00 , G01C 19/575 , G01L 5/16

FI (12件)：

H01L27/04 A , B81B3/00 , B81B7/02 , H01L21/88 J , H01L21/88 T , H01L29/84 Z , H01L29/84 B , H01L21/02 B , H01L27/04 D , G01L9/00 305A , G01C19/5755 , G01L5/16

Fターム (76件)：

2F051AB06 , 2F051DA03 , 2F055AA01 , 2F055BB20 , 2F055CC02 , 2F055DD05 , 2F055EE25 , 2F055FF49 , 2F055GG11 , 2F105BB13 , 2F105CC04 , 2F105CD03 , 2F105CD05 , 3C081AA11 , 3C081BA22 , 3C081BA30 , 3C081BA32 , 3C081BA33 , 3C081BA45 , 3C081BA48 , 3C081BA53 , 3C081CA13 , 3C081CA30 , 3C081CA32 , 3C081DA03 , 3C081DA27 , 3C081EA02 , 3C081EA03 , 4M112AA02 , 4M112BA07 , 4M112CA04 , 4M112CA11 , 4M112CA15 , 4M112CA24 , 4M112CA35 , 4M112EA02 , 4M112EA06 , 4M112EA11 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH18 , 5F033JJ01 , 5F033JJ04 , 5F033JJ07 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ13 , 5F033JJ18 , 5F033JJ21 , 5F033KK07 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033MM30 , 5F033NN06 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033RR04 , 5F033TT07 , 5F033VV04 , 5F033VV07 , 5F033VV08 , 5F033VV13 , 5F033XX00 , 5F038AC05 , 5F038AZ07 , 5F038AZ09 , 5F038BE07 , 5F038BH10 , 5F038BH19 , 5F038CA10 , 5F038CD02 , 5F038CD08 , 5F038CD18 , 5F038EZ06 , 5F038EZ20

引用特許：

出願人引用 (6件)

機能デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-114444 出願人：国立大学法人東北大学
特開平2-005550
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-040030 出願人：株式会社日立製作所

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