機能デバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平山一幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-114444
公開番号（公開出願番号）：特開2014-205235
出願日： 2014年06月02日
公開日（公表日）： 2014年10月30日
要約：

【課題】ウェハレベルで集積回路基板及びマイクロマシン、さらにはカバーとなるLTCC基板等を集積化することができるようにした、機能デバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】機能デバイス10は、集積回路が配設されている集積回路基板11と、集積回路基板を覆うカバー基板13と、集積回路基板11とカバー基板13とを封止する周状の封止部14と、集積回路基板11とカバー基板13との間に配設され集積回路基板11とカバー基板13の何れかに電気的に接続されるマイクロマシン12と、を備えて構成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Si含有層を含む半導体基板と前記半導体基板の表面に構成された集積回路とでなる集積回路基板と、前記集積回路基板と対向して間隙を介して設けられたカバー基板と、を備える機能デバイスであって、前記間隙内に、前記カバー基板及び/又は前記集積回路基板に機械的に接合しかつ電気的に接続しているマイクロマシンが配設され、前記カバー基板が、前記カバー基板の内部に貫通配線及び/又は受動部品を備える機能デバイス。

IPC (4件)：

B81B 7/02 , H01L 23/02 , H01G 5/16 , H03H 9/24

FI (6件)：

B81B7/02 , H01L23/02 J , H01L23/02 B , H01L23/02 C , H01G5/16 , H03H9/24 Z

Fターム (29件)：

3C081AA11 , 3C081BA04 , 3C081BA30 , 3C081BA32 , 3C081BA33 , 3C081BA45 , 3C081BA48 , 3C081BA53 , 3C081BA55 , 3C081CA03 , 3C081CA05 , 3C081CA15 , 3C081CA32 , 3C081CA33 , 3C081DA03 , 3C081DA04 , 3C081DA06 , 3C081DA07 , 3C081DA27 , 3C081DA45 , 3C081EA22 , 3C081EA23 , 3C081EA24 , 5J108AA07 , 5J108EE03 , 5J108EE04 , 5J108EE07 , 5J108EE13 , 5J108KK07

引用特許：

審査官引用 (10件)

MEMSフリップチップパッケージング
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-313986 出願人：ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド
半導体センサー装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-317972 出願人：日立金属株式会社
真空を維持する単結晶シリコンゲッターを有する気密封止マイクロデバイス
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-541623 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド

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