特許
J-GLOBAL ID：201703005111773602

基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム

発明者：
藤野 敏樹

藤野 敏樹 について

, 
藤井 優磨

藤井 優磨 について

, 
野々村 一樹

野々村 一樹 について

, 
馬場 美徳

馬場 美徳 について

, 
竹林 雄二

竹林 雄二 について

, 
寿崎 健一

寿崎 健一 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-025886
公開番号（公開出願番号）：特開2017-147262
出願日： 2016年02月15日
公開日（公表日）： 2017年08月24日
要約：
【課題】ノズルの黒色化を抑制し、膜質の面間の均一性を改善することが可能な技術を提供する。【解決手段】複数の基板を積載して収容する処理室と、処理室を所定温度で加熱する加熱系と、処理室に、処理室の基板の積載方向に延在する原料ガスノズルであって、基板の積載領域に対応する高さに開口する複数の供給孔410aと、複数の供給孔410aより下部であって原料ガスノズル内が所定温度より低くなる位置に開口し、原料ガスノズル内の圧力を低減する複数の減圧孔410bと、を有する原料ガスノズル410を有し、加熱系、原料ガス供給系、反応ガス供給系を制御して、複数の基板が積載された状態で収容された処理室を所定温度で加熱しつつ、処理室に原料ガスノズルから原料ガスを供給する処理と、処理室に反応ガスを供給する処理とを交互に行い、基板上に膜を形成するよう構成される制御部と、を有する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
複数の基板を積載して収容する処理室と、 前記処理室を所定温度で加熱する加熱系と、 前記処理室の前記基板の積載方向に延在する原料ガスノズルであって、前記基板の積載領域に対応する高さに開口する複数の供給孔と、前記複数の供給孔より下部であって前記原料ガスノズル内が前記所定温度より低くなる位置に開口し、前記原料ガスノズル内の圧力を低減する複数の減圧孔と、を有する原料ガスノズルを有し、前記原料ガスノズルから前記処理室に、原料ガスを供給する原料ガス供給系と、 前記処理室に、前記原料ガスと反応する反応ガスを供給する反応ガス供給系と、 前記加熱系、前記原料ガス供給系、前記反応ガス供給系を制御して、複数の基板が積載された状態で収容された前記処理室を前記所定温度で加熱しつつ、前記処理室に前記原料ガスノズルから前記原料ガスを供給する処理と、前記処理室に前記反応ガスを供給する処理とを交互に行い、前記基板上に膜を形成するよう構成される制御部と、 を有する基板処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  C23C 16/455
FI (5件)：
H01L21/31 B ,  H01L21/316 X ,  H01L21/316 C ,  H01L21/316 M ,  C23C16/455
Fターム (45件)：
4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA43 ,  4K030CA04 ,  4K030CA13 ,  4K030EA01 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AA15 ,  5F045AB31 ,  5F045AC03 ,  5F045AC08 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045BB02 ,  5F045BB03 ,  5F045BB15 ,  5F045DP28 ,  5F045EE19 ,  5F045EF03 ,  5F045EF07 ,  5F045EF09 ,  5F045EG02 ,  5F045EK06 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BG02
引用特許：
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM