特許
J-GLOBAL ID：201703006013531397
共用拡散標準セルの構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
蔵田 昌俊
, 福原 淑弘
, 井関 守三
, 岡田 貴志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-172671
公開番号（公開出願番号）：特開2017-022395
出願日： 2016年09月05日
公開日（公表日）： 2017年01月26日
要約：
【課題】拡散領域の端部にあるデバイスの性能劣化を防止。【解決手段】半導体標準セル200は、Nタイプの拡散領域とPタイプの拡散領域202を含み、その両方がセルをわたっておよびセルの外側にも延在する。セルはまた、半導体デバイスを生成するために各拡散領域上方に導電ゲート206を含む。一対のダミーゲート208、218はまた、一対のダミーデバイスを生成するNタイプの拡散領域とPタイプの拡散領域上方にある。一対のダミーゲートはセルの反対側の端部に配置される。セルは、ダミーデバイスを無効にするための電源またはグラウンドにダミーデバイスを結合するように構成された第1の導電線214をさらに含む。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
セルにわたっておよび前記セルの外側にも延在するNタイプの拡散領域と、
前記セルにわたっておよび前記セルの外側にも延在するPタイプの拡散領域と、
半導体デバイスを生成するための、各拡散領域上方の少なくとも1つの導電ゲートと、
一対のダミーゲートと、各ダミーゲートは少なくとも一対のダミーデバイスを生成するために前記Nタイプの拡散領域と前記Pタイプの拡散領域上方に配置される、前記一対のダミーゲートは前記セルの反対側の端部に配置される、
および
前記少なくとも1つのダミーデバイスを無効にするための電源に前記ダミーデバイスのうちの少なくとも1つを結合するように構成された少なくとも1つの第1の導電線、
を備える半導体標準セル。
IPC (6件)：
H01L 21/82
, H01L 21/822
, H01L 27/04
, H01L 21/823
, H01L 27/088
, H01L 27/092
H01L21/82 B
, H01L27/04 A
, H01L27/08 102C
, H01L27/08 321D
