特許
J-GLOBAL ID：201703006314909174
成膜方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
伊東 忠重
, 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-018546
公開番号（公開出願番号）：特開2017-139306
出願日： 2016年02月03日
公開日（公表日）： 2017年08月10日
要約：
【課題】ボトムアップ性が高く、選択的な成膜が可能なSiN膜の成膜方法を提供する。【解決手段】基板Wの表面に形成されたトレンチT内にSiN膜132を埋め込む成膜方法であって、トレンチTを含む基板Wの表面にNH3を含む第1の処理ガスをプラズマ化して供給し、トレンチTを含む基板Wの表面にNH2基130を吸着させる窒化工程を行う。次にNH2基が吸着したトレンチTを含む基板Wの表面にN2を含む第2の処理ガスをプラズマ化して供給し、NH2基の一部をN基131に変換する吸着サイト制御工程を行う。次にシリコン含有ガスをNH2基及びN基が吸着したトレンチTを含む基板Wの表面に供給し、NH2基に選択的に吸着させるシリコン吸着工程を行う。窒化工程、吸着サイト制御工程及びシリコン吸着工程を周期的に複数回繰り返す。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
基板の表面に形成された窪みパターン内にSiN膜を埋め込む成膜方法であって、
前記窪みパターンを含む前記基板の表面にNH3を含む第1の処理ガスをプラズマ化して供給し、前記窪みパターンを含む前記基板の表面にNH2基を吸着させる窒化工程と、
該NH2基が吸着した前記窪みパターンを含む前記基板の表面にN2を含む第2の処理ガスをプラズマ化して供給し、前記NH2基の一部をN基に変換する吸着サイト制御工程と、
シリコン含有ガスを前記NH2基及び前記N基が吸着した前記窪みパターンを含む前記基板の表面に供給し、前記NH2基に選択的に吸着させるシリコン吸着工程と、を有し、
前記窒化工程、前記吸着サイト制御工程及び前記シリコン吸着工程を周期的に複数回繰り返す成膜方法。
IPC (4件)：
H01L 21/318
, C23C 16/42
, C23C 16/455
, C23C 16/50
H01L21/318 B
, C23C16/42
, C23C16/455
, C23C16/50
4K030AA06
, 4K030AA13
, 4K030AA16
, 4K030AA17
, 4K030AA18
, 4K030BA40
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030EA03
, 4K030FA04
, 4K030FA10
, 4K030GA06
, 4K030HA01
, 4K030JA10
, 4K030LA02
, 4K030LA15
, 5F058BA09
, 5F058BC08
, 5F058BF07
, 5F058BF23
, 5F058BF24
, 5F058BF27
, 5F058BF30
, 5F058BF37
, 5F058BF38
, 5F058BJ05
, 5F058BJ06
