窒化膜の形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-216412
公開番号（公開出願番号）：特開2017-092098
出願日： 2015年11月04日
公開日（公表日）： 2017年05月25日
要約：

【課題】微細な凹部にボイドやシームを生じずに窒化膜を形成することができる窒化膜の形成方法を提供する。【解決手段】表面に微細凹部が形成された被処理基板に、成膜しようとする窒化膜を構成する元素と塩素とを含有する成膜原料ガスを吸着させる吸着工程と、吸着された成膜原料ガスを窒化活性種により窒化させる窒化工程とを繰り返して微細凹部内に窒化膜を形成する窒化膜の形成方法において、窒化工程は、窒化活性種としてNH*活性種およびN*活性種を生成し、これらの濃度をコントロールすることにより、微細凹部内で成膜原料ガスが吸着する領域を変化させる。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

表面に微細凹部が形成された被処理基板に、成膜しようとする窒化膜を構成する元素と塩素とを含有する成膜原料ガスを吸着させる吸着工程と、前記吸着された成膜原料ガスを窒化活性種により窒化させる窒化工程とを繰り返して微細凹部内に窒化膜を形成する窒化膜の形成方法であって、前記窒化工程は、窒化活性種としてNH*活性種およびN*活性種を生成し、これらの濃度をコントロールすることにより、前記微細凹部内で前記成膜原料ガスが吸着する領域を変化させることを特徴とする窒化膜の形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/318 , H01L 21/31 , C23C 16/42 , C23C 16/52 , C23C 16/34

FI (5件)：

H01L21/318 B , H01L21/31 C , C23C16/42 , C23C16/52 , C23C16/34

Fターム (37件)：

4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA40 , 4K030CA04 , 4K030EA03 , 4K030FA01 , 4K030JA05 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F045AA08 , 5F045AB33 , 5F045AC03 , 5F045AC05 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AE19 , 5F045DP19 , 5F045DP28 , 5F045EE19 , 5F045EF03 , 5F045EF09 , 5F058BA09 , 5F058BC08 , 5F058BD10 , 5F058BF07 , 5F058BF24 , 5F058BF30 , 5F058BF37

引用特許：

出願人引用 (5件)

プラズマ活性化されるコンフォーマル誘電体膜
公報種別：公表公報出願番号：特願2014-531838 出願人：ノベラス・システムズ・インコーポレーテッド
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-252751 出願人：エルピーダメモリ株式会社
半導体装置の製造方法および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-064820 出願人：松下電器産業株式会社

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