基板処理方法および基板処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-380535
公開番号（公開出願番号）：特開2003-183839
出願日： 2001年12月13日
公開日（公表日）： 2003年07月03日
要約：

【要約】【課題】原子状窒素N*を使った基板処理が可能なプラズマ基板処理方法および装置を提供する。【解決手段】処理容器中に制御電極によりプラズマ励起空間とプロセス空間とを画成し、プラズマ空間においてHeをプラズマ励起ガスとして使い、Heプラズマ中においてN2ガスを励起して原子状窒素N*を形成する。かかる原子状窒素N*を制御電極を通ってプロセス空間に拡散させ、基板処理を行う。

請求項（抜粋）：

処理容器中において、被処理基板を含むプロセス空間と、前記被処理基板が含まれないプラズマ形成空間とが制御電極により隔てられている構成の基板処理装置による基板処理方法であって、前記処理容器中にHeとN2を含むガスを供給する工程と、前記プラズマ形成空間にプラズマを、前記プラズマ中に原子状窒素N*が励起されるような条件で形成する工程と、前記原子状窒素N*により被処理基板表面を窒化する工程とを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。

IPC (5件)：

C23C 16/56 , C23C 8/36 , C23C 16/02 , H01L 21/31 , C23C 16/511

FI (5件)：

C23C 16/56 , C23C 8/36 , C23C 16/02 , H01L 21/31 C , C23C 16/511

Fターム (33件)：

4K028BA02 , 4K028BA05 , 4K028BA21 , 4K028BA22 , 4K030AA14 , 4K030AA16 , 4K030AA18 , 4K030DA02 , 4K030DA08 , 4K030FA01 , 4K030HA06 , 4K030KA08 , 4K030KA17 , 4K030KA19 , 4K030KA30 , 4K030KA34 , 4K030KA46 , 4K030KA47 , 5F045AA20 , 5F045AB40 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AC17 , 5F045BB09 , 5F045BB14 , 5F045BB16 , 5F045DP03 , 5F045EH02 , 5F045EH03 , 5F045EH04 , 5F045EH05 , 5F045EH08 , 5F045EH11

引用特許：

出願人引用 (12件)

特開平3-212938
特開平2-281734
プラズマCVD装置及び酸化膜の成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-306864 出願人：日立電子エンジニアリング株式会社

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審査官引用 (13件)

特開平2-281734
特開平3-212938
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-335708 出願人：株式会社東芝

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