特許
J-GLOBAL ID：201403016998179725

プラズマ活性化されるコンフォーマル誘電体膜

発明者：
スワミナタン・シャンカー

スワミナタン・シャンカー について

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ヘンリー・ジョン

ヘンリー・ジョン について

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ハウスマン・デニス・エム.

ハウスマン・デニス・エム. について

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スブラモニウム・プラモド

スブラモニウム・プラモド について

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スリラム・マンディアム

スリラム・マンディアム について

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ランガラジャン・ビシュワナタン

ランガラジャン・ビシュワナタン について

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カティーグ・キーシ・ケイ.

カティーグ・キーシ・ケイ. について

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バン・シュラベンディジク・バート・ジェイ.

バン・シュラベンディジク・バート・ジェイ. について

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マッケロウ・アンドリュー・ジェイ.

マッケロウ・アンドリュー・ジェイ. について


出願人/特許権者：
ノベラス・システムズ・インコーポレーテッド

ノベラス・システムズ・インコーポレーテッド について


代理人 (2件)： 特許業務法人明成国際特許事務所 ,  井上 佳知
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-531838
公開番号（公開出願番号）：特表2014-532304
出願日： 2012年08月29日
公開日（公表日）： 2014年12月04日
要約：
膜を基板表面に堆積するための方法は、膜を1又は複数サイクルの反応物の吸着及び反応を通して成長させる、表面で起こる反応(surface mediated reaction)を含む。一態様では、この方法は、吸着及び反応のサイクル間に、ドーパント種を膜に間欠的に供給することを特徴とする。【選択図】図17
請求項（抜粋）：
反応チャンバにおいて基板表面に膜を堆積する方法であって、 (a)第1反応物が前記基板表面に吸着可能な条件下で、前記反応チャンバに前記第1反応物を導入すること、 (b)前記第1反応物が前記基板表面に吸着されている間に、前記反応チャンバに第2反応物を導入すること、 (c)前記第1反応物と前記第2反応物との間の反応を前記基板表面にもたらして、前記膜の一部を形成するために、前記基板表面をプラズマに曝露すること、 (d)(a)〜(c)を少なくとも1回繰返すこと、 (e)(a)〜(d)の間には導入されないドーパント含有材料を、該ドーパント含有材料が前記膜の被曝露面と接触可能な条件下で、前記反応チャンバに導入すること、 (f)前記ドーパント含有材料から前記膜にドーパントを導入すること を備える、方法。
IPC (6件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/31
FI (7件)：
H01L21/316 P ,  H01L21/316 X ,  H01L21/318 B ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56 ,  H01L21/31 C
Fターム (49件)：
4K030AA06 ,  4K030AA07 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030EA03 ,  4K030FA03 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AE21 ,  5F045DP03 ,  5F045EE19 ,  5F045EH05 ,  5F045EH14 ,  5F045HA13 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BC08 ,  5F058BD04 ,  5F058BD06 ,  5F058BD10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF22 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BF72 ,  5F058BF73 ,  5F058BF74
引用特許：
出願人引用 (16件)
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審査官引用 (14件)
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