特許
J-GLOBAL ID：201703007269402370

セラミック基板およびその製造方法

発明者：
中島 広和

中島 広和 について

, 
阪口 浩平

阪口 浩平 について


出願人/特許権者：
日立金属株式会社

日立金属株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人 ユニアス国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-062246
公開番号（公開出願番号）：特開2017-171560
出願日： 2016年03月25日
公開日（公表日）： 2017年09月28日
要約：
【課題】比誘電率の異なるセラミック層を複合するセラミック基板において、クラックやデラミネーションを抑制して、比誘電率の異なるセラミック層間で強固な接合が得られるとともに、Bの使用量を少なく抑えることが出来るセラミック基板とその製造方法の提供。【解決手段】Al2O3又はAl2O3よりも大きな比誘電率の酸化物誘電体と、Srアノーサイトを含む第1セラミック層1と、Srアノーサイトとコーディエライトとを含み、前記第1セラミック層1よりも比誘電率が小さい第2セラミック層2とを備えるセラミック基板。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
Al2O3又はAl2O3よりも大きな比誘電率の酸化物誘電体と、Srアノーサイトを含む第1セラミック層と、 Srアノーサイトとコーディエライトとを含み、前記第1セラミック層よりも比誘電率が小さい第2セラミック層とを備えたセラミック基板。
IPC (7件)：
C04B 35/18 ,  C04B 35/16 ,  H05K 1/03 ,  H01L 23/13 ,  H01B 3/12 ,  C04B 41/87 ,  B32B 18/00
FI (10件)：
C04B35/18 Z ,  C04B35/16 Z ,  H05K1/03 610D ,  H01L23/12 C ,  H01B3/12 337 ,  H01B3/12 326 ,  H01B3/12 330 ,  H01B3/12 336 ,  C04B41/87 Z ,  B32B18/00 A
Fターム (41件)：
4F100AA17A ,  4F100AA17B ,  4F100AA19A ,  4F100AA19B ,  4F100AA20A ,  4F100AA20B ,  4F100AA21A ,  4F100AD00A ,  4F100AD00B ,  4F100BA02 ,  4F100EJ48 ,  4F100GB41 ,  4F100JA02 ,  4F100JG04 ,  4F100JG04A ,  4F100JG04B ,  4F100JG05A ,  4F100JG05B ,  4F100JK12 ,  4F100YY00A ,  4F100YY00B ,  4G030AA07 ,  4G030AA09 ,  4G030AA35 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030BA12 ,  4G030CA01 ,  4G030CA08 ,  4G030GA08 ,  4G030GA09 ,  4G030GA27 ,  5G303AA05 ,  5G303AB06 ,  5G303AB20 ,  5G303CA01 ,  5G303CB01 ,  5G303CB02 ,  5G303CB30 ,  5G303CB32 ,  5G303DA05
引用特許：
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (2件)

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