半導体装置とその製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-018260
公開番号（公開出願番号）：特開2013-123074
特許番号：特許第6096523号
出願日： 2013年02月01日
公開日（公表日）： 2013年06月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1層と第2層と表面層がこの順に積層され、表面層の表面側にゲート電極が形成されているノーマリオフで動作する半導体装置であり、第1層は、p型又は真性の窒化ガリウムで構成されており、第2層は、n型の窒化アルミニウムガリウムで構成されており、表面層は、p型のGaN系化合物半導体で構成されており、ゲート電極に電圧が印加されていない場合、第2層及び表面層が空乏化され、第2層の伝導体の下限がフェルミ準位よりも上側に存在し、ゲート電極に正電圧が印加されると第1層と第2層との接合界面近傍にポテンシャル井戸が発生するとともに、その電位レベルがフェルミ準位よりも下側に存在して、ポテンシャル井戸に2DEG(2 Dimensional Electron Gas:2次元電子ガス)が発生することで、ノーマリオフで動作するようにしたことを特徴とする半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 21/338 ( 200 6.01) , H01L 29/778 ( 200 6.01) , H01L 29/812 ( 200 6.01) , H01L 21/337 ( 200 6.01) , H01L 27/098 ( 200 6.01) , H01L 29/808 ( 200 6.01) , H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 29/78 ( 200 6.01) , H01L 29/786 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 29/80 H , H01L 29/80 C , H01L 29/78 301 B , H01L 29/78 618 B

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭59-022367
特開平4-015929
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-058021 出願人：三菱電機株式会社

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