電気めっき方法及び電気めっき装置

発明者： , , , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (8件)：蔵田昌俊 , 野河信久 , 峰隆司 , 河野直樹 , 砂川克 , 佐藤立志 , 岡田貴志 , 堀内美保子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-054850
公開番号（公開出願番号）：特開2016-176088
出願日： 2015年03月18日
公開日（公表日）： 2016年10月06日
要約：

【課題】陰極の電流密度が高電流密度であっても被めっき膜の膜厚分布が小さく、めっきの成膜速度を大幅に高めること。【解決手段】実施形態の電気メッキ方法によれば、反応槽に設けられた陽極及び陰極に対して、前記陰極の電位を負にすることで陰極表面に金属膜を生成する電気めっき法において、前記反応槽に、少なくとも被めっき金属イオンと電解質と界面活性剤を含有するめっき液と、超臨界流体とを混合して収容し、前記被めっき金属イオンの還元時の陰分極曲線から得られる分極抵抗が、前記超臨界流体を混合する前よりも大きくなる前記超臨界流体濃度と陰極電流密度で電流を印加する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

反応槽に設けられた陽極及び陰極に対して、前記陰極の電位を負にすることで陰極表面に金属膜を生成する電気めっき法において、前記反応槽に、少なくとも被めっき金属イオンと電解質と界面活性剤を含有するめっき液と、超臨界流体とを混合して収容し、前記被めっき金属イオンの還元時の陰分極曲線から得られる分極抵抗が、前記超臨界流体を混合する前よりも大きくなる超臨界流体濃度と陰極電流密度で電流を印加することを特徴とする電気めっき方法。

IPC (2件)：

C25D 21/12 , C25D 5/00

FI (2件)：

C25D21/12 A , C25D5/00

Fターム (12件)：

4K024AA09 , 4K024AB15 , 4K024BA11 , 4K024BB12 , 4K024CA01 , 4K024CA16 , 4K024CB05 , 4K024CB06 , 4K024CB11 , 4K024DA03 , 4K024GA02 , 4K024GA16

引用特許：

審査官引用 (7件)

多孔性金属薄膜およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-249623 出願人：国立大学法人東京農工大学
めっき装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-101744 出願人：富士通セミコンダクター株式会社
表面処理装置及び表面処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-252860 出願人：株式会社デンソー

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引用文献：

審査官引用 (1件)

"Charateristics of a Nickel Film Electroplated on a Copper Substrate in Supercritical CO2"

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