特許
J-GLOBAL ID：201703011311017357
気相化学曝露による低誘電率誘電体の損傷修復
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
園田 吉隆
, 小林 義教
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-520198
特許番号：特許第6192719号
出願日： 2013年05月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 損傷された低誘電率誘電体層を修復する方法であって、
多孔性低誘電率誘電体層をビニルシラン含有化合物に曝露することと;
任意選択により前記多孔性低誘電率誘電体層を紫外線(UV)硬化プロセスに曝露することと
を含み、
前記ビニルシラン含有化合物は次の化学式で表わされ、
R1
|
H2C=CH-Si-R2 (1)
|
R3
ここで、R1、R2、およびR3はそれぞれ、水素(H)、アルキル基、塩素、ビニル基、およびアルコキシ基から独立に選択され、
前記ビニルシラン含有化合物はトリメチルビニルシラン(TMVS)である、方法。
IPC (5件)：
H01L 21/316 ( 200 6.01)
, H01L 23/532 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
, C23C 16/18 ( 200 6.01)
, C23C 16/48 ( 200 6.01)
H01L 21/316 P
, H01L 21/316 X
, H01L 21/90 N
, C23C 16/18
, C23C 16/48
