特許
J-GLOBAL ID：201703012716820030
SiC半導体素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (5件)：
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 亀松 宏
, 永坂 友康
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-179268
公開番号（公開出願番号）：特開2013-070036
特許番号：特許第6042658号
出願日： 2012年08月13日
公開日（公表日）： 2013年04月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 SiC基板上にオーミック電極を形成する工程を含むSiC半導体素子の製造方法において、
上記SiC基板上に高濃度ドープ層を形成すること、及び
上記SiC基板よりも欠陥密度の高いゲッタリング層を、該高濃度ドープ層の表面に、且つ該SiC基板の表面に並行して、形成した後に、該ゲッタリング層よりも該基板の外寄りに上記オーミック電極を形成すること、
を含み、
該高濃度ドープ層は、n+層またはp+層であり、
該オーミック電極は、Ni、Ti、Cr、またはFeである、
SiC半導体素子の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 21/329 ( 200 6.01)
, H01L 29/47 ( 200 6.01)
, H01L 29/872 ( 200 6.01)
, H01L 21/322 ( 200 6.01)
H01L 21/28 A
, H01L 21/28 301 B
, H01L 29/48 P
, H01L 21/322 J
