特許

J-GLOBAL ID：201703012740907405

薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者： 生田目 俊秀 ,  塚越 一仁 ,  相川 慎也
出願人/特許権者： 国立研究開発法人物質・材料研究機構
代理人 (1件)： 特許業務法人浅村特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-213693
公開番号（公開出願番号）：特開2017-041646
出願日： 2016年10月31日
公開日（公表日）： 2017年02月23日
要約：

【課題】半導体層を非晶質状態とすることができる薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】ソース電極およびドレイン電極と、ソース電極およびドレイン電極に接して設けられた半導体層とを設けた薄膜トランジスタにおいて、半導体層が、酸素欠損が導入されることで電子キャリアを生成できる第1金属酸化物に、酸素のかい離エネルギーが第1金属酸化物の酸素のかい離エネルギーよりも200kJ/mol以上大きな酸化物を添加した複合金属酸化物であって、酸素のかい離エネルギーが第1金属酸化物の酸素のかい離エネルギーよりも小さい追加の酸化物が、酸素のかい離エネルギーが第1金属酸化物の酸素のかい離エネルギーよりも200kJ/mol以上大きな酸化物の添加量よりも少ない量だけ半導体層に一様に添加されている。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

ソース電極およびドレイン電極と、 前記ソース電極および前記ドレイン電極に接して設けられた半導体層と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間のチャネルに対応させて設けられたゲート電極と、 前記ゲート電極と前記半導体層との間に設けられた絶縁体層と を設け、 前記半導体層が、酸素欠損が導入されることで電子キャリアを生成できる第1金属酸化物に、酸素のかい離エネルギーが前記第1金属酸化物の酸素のかい離エネルギーよりも200kJ/mol以上大きな酸化物を添加した複合金属酸化物である、 薄膜トランジスタであって、 酸素のかい離エネルギーが前記第1金属酸化物の酸素のかい離エネルギーよりも小さい追加の酸化物を、前記酸素のかい離エネルギーが前記第1金属酸化物の酸素のかい離エネルギーよりも200kJ/mol以上大きな酸化物の添加量よりも少ない量だけ前記半導体層に一様に添加した、薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/363 ,  C23C 14/08

FI (6件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 618G ,  H01L29/78 618C ,  H01L21/363 ,  C23C14/08 D

Fターム (74件)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA43 ,  4K029BA45 ,  4K029BA47 ,  4K029BA49 ,  4K029BA50 ,  4K029BB10 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC34 ,  4K029EA01 ,  4K029EA08 ,  5F103AA02 ,  5F103AA04 ,  5F103AA06 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103GG03 ,  5F103HH03 ,  5F103HH04 ,  5F103HH05 ,  5F103LL08 ,  5F103LL13 ,  5F103NN01 ,  5F103NN04 ,  5F103NN06 ,  5F103PP03 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF10 ,  5F110FF22 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG52 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK42

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 結晶酸化物半導体、及びそれを用いてなる薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-156253   出願人：出光興産株式会社
• 電界効果型トランジスタ、電界効果型トランジスタの製造方法及び半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-007788   出願人：出光興産株式会社
• 非晶質酸化物半導体薄膜、その製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、発光装置、表示装置及びスパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-078996   出願人：出光興産株式会社
• 無機膜およびその製造方法並びに半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-096030   出願人：富士フイルム株式会社

審査官引用 (4件)

• 結晶酸化物半導体、及びそれを用いてなる薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-156253   出願人：出光興産株式会社
• 電界効果型トランジスタ、電界効果型トランジスタの製造方法及び半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-007788   出願人：出光興産株式会社
• 非晶質酸化物半導体薄膜、その製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、発光装置、表示装置及びスパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-078996   出願人：出光興産株式会社
• 無機膜およびその製造方法並びに半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-096030   出願人：富士フイルム株式会社