電界効果型トランジスタ、電界効果型トランジスタの製造方法及び半導体素子の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：渡辺喜平 , 田中有子 , 佐藤猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-007788
公開番号（公開出願番号）：特開2010-165922
出願日： 2009年01月16日
公開日（公表日）： 2010年07月29日
要約：

【課題】遮断周波数の高い電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】酸化物を含む半導体層、及び半導体層の保護層を有し、前記半導体層の、下記A又はBに対するエッチングレートが、酸化ケイ素のエッチングレートの2分の1以下である、電界効果型トランジスタ。 A:10質量%の弗化水素酸を含むウェットエッチング液 B:15質量%の弗化アンモニウムを含むウェットエッチング液【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸化物を含む半導体層、及び前記半導体層の保護層を有し、前記半導体層の、下記A又はBに対するエッチングレートが、酸化ケイ素のエッチングレートの2分の1以下である、電界効果型トランジスタ。 A:10質量%の弗化水素酸を含むウェットエッチング液 B:15質量%の弗化アンモニウムを含むウェットエッチング液

IPC (1件)：

H01L 29/786

FI (3件)：

H01L29/78 619A , H01L29/78 618B , H01L29/78 612B

Fターム (57件)：

5F110AA02 , 5F110AA28 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE14 , 5F110EE42 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110NN04 , 5F110NN13 , 5F110NN14 , 5F110NN16 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN33 , 5F110NN35 , 5F110NN40 , 5F110PP01 , 5F110QQ05 , 5F110QQ12

引用特許：

出願人引用 (2件)

酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-074630 出願人：キヤノン株式会社
電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-325364 出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学

審査官引用 (9件)

ボトムゲート型薄膜トランジスタ、ボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-273863 出願人：キヤノン株式会社
薄膜トランジスタ及びその形成方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-519497 出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-314243 出願人：キヤノン株式会社

全件表示

前のページに戻る