特許
J-GLOBAL ID：201503002696348509

III族窒化物基板の製造方法

発明者：
吉田 丈洋

吉田 丈洋 について


出願人/特許権者：
株式会社サイオクス

株式会社サイオクス について


代理人 (7件)： 福岡 昌浩 ,  阿仁屋 節雄 ,  奥山 知洋 ,  阿部 廣美 ,  橘高 英郎 ,  白鳥 昌宏 ,  加藤 勇蔵
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-108255
公開番号（公開出願番号）：特開2015-224143
出願日： 2014年05月26日
公開日（公表日）： 2015年12月14日
要約：
【課題】複数の種結晶基板を並べて形成した種結晶基板上に結晶成長を行うIII族窒化物基板の作製に関し、新規な技術を提供する。【解決手段】側面同士を対向させて並べられるような形状に成形された複数の種結晶基板10を用意する工程と、側面同士を対向させて並んだ配置となるように、複数の種結晶基板10を、基材50上に接着剤60で接着する工程と、複数の種結晶基板10の主面上方に、各々の主面上方に成長した結晶同士が結合して一体化するように、III族窒化物結晶70を成長させる工程と、III族窒化物結晶で形成されたIII族窒化物基板を得る工程とを有するIII族窒化物基板の製造方法。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
側面同士を対向させて並べられるような形状に成形された複数の種結晶基板を用意する工程と、 前記側面同士を対向させて並んだ配置となるように、前記複数の種結晶基板を、基材上に接着剤で接着する工程と、 前記複数の種結晶基板の主面上方に、各々の主面上方に成長した結晶同士が結合して一体化するように、III族窒化物結晶を成長させる工程と、 前記III族窒化物結晶で形成されたIII族窒化物基板を得る工程と を有するIII族窒化物基板の製造方法。
IPC (7件)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/20 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/01 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/301 ,  B23K 26/364
FI (7件)：
C30B29/38 D ,  C30B25/20 ,  C23C16/34 ,  C23C16/01 ,  H01L21/205 ,  H01L21/78 B ,  B23K26/364
Fターム (45件)：
4E168AD02 ,  4E168DA03 ,  4E168JA13 ,  4G077AA02 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EG03 ,  4G077EG04 ,  4G077HA12 ,  4G077TB03 ,  4G077TC12 ,  4G077TC16 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  4G077TK11 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  4K030LA18 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AF04 ,  5F045AF11 ,  5F063CA02 ,  5F063CA06 ,  5F063CB03 ,  5F063CB06 ,  5F063CB28
引用特許：
審査官引用 (10件)
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