特許
J-GLOBAL ID：201703013573138948

発光素子

発明者：
イム・ヒョンス

イム・ヒョンス について

, 
チョ・クォンテ

チョ・クォンテ について

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パク・スイク

パク・スイク について


出願人/特許権者：
エルジー イノテック カンパニー リミテッド

エルジー イノテック カンパニー リミテッド について


代理人 (5件)： 岩瀬 吉和 ,  小野 誠 ,  金山 賢教 ,  重森 一輝 ,  市川 英彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-271868
公開番号（公開出願番号）：特開2013-128112
特許番号：特許第6153322号
出願日： 2012年12月13日
公開日（公表日）： 2013年06月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板と、 前記基板上にある第1導電型半導体層と、 前記第1導電型半導体層上にある活性層と、 前記活性層上にある第2導電型半導体層と、 前記第1導電型半導体層上にある第1電極と、 前記第2導電型半導体層上にある第2電極と、 前記基板の上面に備えられる第1光抽出パターンと、 前記基板の側面に備えられる第2光抽出パターンと、 を含み、 前記第2光抽出パターンは、前記活性層から遠ざかる方向に順次配置された第1パターン、第2パターン及び第3パターンを含み、 前記第2パターンと前記第3パターンは、前記第1パターンより密に配置され、 前記第2パターンの大きさは前記第1パターンの大きさより小さく、前記第3パターンの大きさは前記第2パターンの大きさより小さい発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/22 ( 201 0.01)
FI (1件)：
H01L 33/22
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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