半導体装置及びその作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-245624
公開番号（公開出願番号）：特開2017-120896
出願日： 2016年12月19日
公開日（公表日）： 2017年07月06日
要約：

【課題】微細化・高密度化に適した信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】基板上に酸素、及び水素に対してバリア性を有する第1のバリア層と、第1のバリア層上の第1の絶縁体と、第1の絶縁体上の第2の絶縁体と、第2の絶縁体上の第3の絶縁体と、第3の絶縁体上の酸化物半導体を有するトランジスタと、トランジスタ上の過剰酸素領域を有する第4の絶縁体と、を有し、第4の絶縁体上の酸素、及び水素に対してバリア性を有する第2のバリア層と、トランジスタは、耐酸化性を有する第1の導電体、耐酸化性を有する第2の導電体、および耐酸化性を有する第3の導電体を有し、第2の絶縁体はhigh-k材料を有し、トランジスタが設けられた領域の外縁において、第1のバリア層と、第2のバリア層とが接することにより、トランジスタは、第1のバリア層、及び第2のバリア層とに包囲されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に酸素、及び水素に対してバリア性を有する第1のバリア層と、前記第1のバリア層上の第1の絶縁体と、前記第1の絶縁体上の第2の絶縁体と、前記第2の絶縁体上の第3の絶縁体と、前記第3の絶縁体上の酸化物半導体を有するトランジスタと、前記トランジスタ上の過剰酸素領域を有する第4の絶縁体と、前記第4の絶縁体上の酸素、及び水素に対してバリア性を有する第2のバリア層と、を有し、前記トランジスタは、耐酸化性を有する第1の導電体、耐酸化性を有する第2の導電体、および耐酸化性を有する第3の導電体を有し、前記第2の絶縁体はhigh-k材料を有し、前記トランジスタが設けられた領域の外縁において、前記第1のバリア層と、前記第2のバリア層とが接することにより、前記トランジスタは、前記第1のバリア層、及び前記第2のバリア層とに包囲されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/824 , H01L 27/108 , H01L 27/10

FI (11件)：

H01L29/78 617T , H01L29/78 618B , H01L29/78 617U , H01L29/78 617L , H01L29/78 617M , H01L29/78 616V , H01L27/10 321 , H01L27/10 671Z , H01L27/10 621C , H01L27/10 461 , H01L27/10 681F

Fターム (139件)：

5F083AD02 , 5F083AD03 , 5F083AD24 , 5F083AD49 , 5F083AD54 , 5F083AD69 , 5F083GA01 , 5F083GA06 , 5F083GA10 , 5F083GA11 , 5F083GA21 , 5F083GA25 , 5F083GA27 , 5F083GA28 , 5F083HA02 , 5F083HA06 , 5F083HA10 , 5F083JA02 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA44 , 5F083JA56 , 5F083JA60 , 5F083LA00 , 5F083LA11 , 5F083MA05 , 5F083MA06 , 5F083MA15 , 5F083MA16 , 5F083MA18 , 5F083MA19 , 5F083NA01 , 5F083PR06 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR33 , 5F083PR40 , 5F083ZA12 , 5F083ZA13 , 5F083ZA14 , 5F110BB03 , 5F110BB05 , 5F110CC02 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE22 , 5F110EE30 , 5F110EE32 , 5F110EE38 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110EE48 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF10 , 5F110FF23 , 5F110FF26 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG32 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110HJ01 , 5F110HJ23 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK42 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL11 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN40 , 5F110NN62 , 5F110NN65 , 5F110NN66 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110NN74 , 5F110NN78 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11 , 5F110QQ16 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置及び半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-161530 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-184826 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置及び電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2015-082137 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

全件表示

前のページに戻る