特許
J-GLOBAL ID：200903069844694801
横方向半導体デバイスおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
森 哲也
, 内藤 嘉昭
, 崔 秀▲てつ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-116797
公開番号（公開出願番号）：特開2009-278100
出願日： 2009年05月13日
公開日（公表日）： 2009年11月26日
要約：
【課題】低いゲート・ドレイン間容量(CGD)を提供し、その上で、標準CMOSフローと互換性を持つ製造工程を提供する。【解決手段】直交ゲート拡張ドレインMOSFET(EDMOS)構造は、低いゲート・ドレイン間の容量(CGD)を提供し、さらに高い信頼性を示す。シャロートレンチアイソレーション(STI)酸化膜領域に折り畳まれたゲート電極を有する。水平および垂直ゲート電極部は、ゲート制御を提供する。同じ基板上に高圧デバイスおよび標準CMOSの部品を収容する。表面電界緩和型(RESURF)技術は、高い降伏電圧と特定のオン抵抗との間のトレードオフを最適化するために使用される。デバイス製造工程は、標準CMOSフローと互換性を持ち、基本的なCMOS技術からプロセスモジュールを加えるかあるいは除くことができる。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
横方向半導体デバイスであって、
p型基板と、
デバイス間を隔離するためのディープnウェルと、
ソースとボディ領域のバッティングコンタクトと、シャロートレンチアイソレーション(STI)と、
前記STIの下の表面電界緩和型(RESURF)nドリフト領域と、
を備えた横方向半導体デバイス。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L29/78 301D
, H01L29/78 301S
, H01L29/78 301G
5F140AA11
, 5F140AA40
, 5F140AB03
, 5F140AC21
, 5F140BA20
, 5F140BB04
, 5F140BF01
, 5F140BF04
, 5F140BF42
, 5F140BH17
, 5F140BH30
, 5F140BH41
, 5F140BH43
, 5F140BH45
, 5F140BH47
, 5F140BK13
, 5F140CB04
, 5F140CB08
