特許
J-GLOBAL ID：201703015797448554

半導体装置、データ読出し方法、及びマイクロコンピュータ

発明者：
山本 章平

山本 章平 について


出願人/特許権者：
ラピスセミコンダクタ株式会社

ラピスセミコンダクタ株式会社 について


代理人 (3件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  福田 浩志
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-136843
公開番号（公開出願番号）：特開2014-002811
特許番号：特許第6105217号
出願日： 2012年06月18日
公開日（公表日）： 2014年01月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 データを記憶するデータ記憶セルと、 前記データとの比較に用いられる参照データを記憶する参照データ記憶セルと、 前記参照データを反転した反転データを記憶する反転データ記憶セルと、 前記データ記憶セルに記憶されたデータと前記参照データ記憶セルに記憶された前記参照データとを差動増幅して各々のデータの電圧差が予め定められた読出可能電圧差になると出力を変化させる第1の読出し処理、及び、前記データ記憶セルに記憶されたデータと前記反転データ記憶セルに記憶された前記反転データとを差動増幅して各々のデータの電圧差が前記読出可能電圧差になると出力を変化させる第2の読出し処理を行なうセンスアンプ部と、 前記センスアンプ部による前記第1の読出し処理の結果と前記第2の読出し処理の結果とに基づいて、前記データ記憶セルに記憶されたデータを決定して出力するデータ出力部と、 を備え、 前記参照データ記憶セルは予めローレベルのデータを記憶し、 前記反転データ記憶セルは予めハイレベルのデータを記憶し、 前記データ記憶セルはローレベルのデータまたはハイレベルのデータを記憶し、 前記センスアンプ部は、 一方の入力端が前記データ記憶セルに他方の入力端が前記参照データ記憶セルに各々接続され、前記データ記憶セルが記憶しているデータと前記参照データ記憶セルが記憶しているローレベルのデータとの電圧差が前記読出可能電圧差になると出力を変化させる第1のセンスアンプと、 一方の入力端が前記データ記憶セルに他方の入力端が前記反転データ記憶セルに各々接続され、前記データ記憶セルが記憶しているデータと前記反転データ記憶セルが記憶しているハイレベルのデータとの電圧差が前記読出可能電圧差になると出力を変化させる第2のセンスアンプと、を備え、 前記データ出力部は、前記第1のセンスアンプの出力が前記第2のセンスアンプの出力より先に変化した場合にはハイレベルのデータを出力し、前記第2のセンスアンプの出力が前記第1のセンスアンプの出力より先に変化した場合にはローレベルのデータを出力する 半導体装置。
IPC (1件)：
G11C 16/06 ( 200 6.01)
FI (1件)：
G11C 17/00 634 E
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (6件)
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