特許
J-GLOBAL ID：201703016258685948
シリコン貫通電極構造を有する半導体基板の研磨に使用する研磨用組成物及びその研磨用組成物を用いる研磨方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
川口 嘉之
, 佐貫 伸一
, 丹羽 武司
, 菅家 博英
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-093895
公開番号（公開出願番号）：特開2013-222847
特許番号：特許第6053311号
出願日： 2012年04月17日
公開日（公表日）： 2013年10月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコン貫通電極構造を有する半導体基板の研磨に使用する研磨用組成物であって、標準電極電位が350mV以上740mV以下の酸化剤、シリコンの研磨促進剤、シリコン貫通電極材料の研磨速度増加剤、シリコンの汚染防止剤及び水を含有する研磨用組成物であって、
前記シリコンの研磨促進剤が、第四級アンモニウム及びその塩、アンモニウム塩、アルカリ金属の水酸化物、炭酸塩、および複素環式アミン化合物から選ばれる1種以上であり、
銅イオンと配位する窒素原子を有し、かつその窒素原子に立体障害となりうる基が結合していないアミンを含まない、研磨用組成物。
IPC (3件)：
H01L 21/304 ( 200 6.01)
, B24B 37/00 ( 201 2.01)
, C09K 3/14 ( 200 6.01)
H01L 21/304 622 C
, B24B 37/00 H
, C09K 3/14 550 Z
