半導体レーザ

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：名古屋国際特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-108095
公開番号（公開出願番号）：特開2014-229742
特許番号：特許第6158590号
出願日： 2013年05月22日
公開日（公表日）： 2014年12月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 n型クラッド層と、発光層と、 p型クラッド層と、前記発光層と前記p型クラッド層との間、又は前記p型クラッド層の中に位置し、バンドギャップエネルギーが前記p型クラッド層より大きいキャリアストップ層と、を備え、下記式1が成立し、前記キャリアストップ層の層厚が20nm以上、40nm以下であり、前記キャリアストップ層の基板に対する伸長歪量が0.55%以上、1.5%以下であることを特徴とする半導体レーザ。 (式1)A×B2≦55 (Aは前記キャリアストップ層のnmを単位とする層厚であり、Bは前記キャリアストップ層の%を単位とする基板に対する伸長歪量である。)

IPC (1件)：