特許
J-GLOBAL ID：201703016633939952

有機化合物、その製造法、それを含有する有機半導体材料及びそれを含有する有機トランジスタ

発明者：
稲垣 翔

稲垣 翔 について

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水口 良

水口 良 について

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餌取 秀樹

餌取 秀樹 について

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石塚 亜弥

石塚 亜弥 について


出願人/特許権者：
DIC株式会社

DIC株式会社 について


代理人 (1件)： 河野 通洋
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-562033
特許番号：特許第6112269号
出願日： 2016年07月21日
要約：
【要約】 溶媒への溶解性に優れ、複雑なプロセスを経由せずとも容易に、高い移動度を呈する膜を与える化合物、及びそれを用いた有機半導体材料を提供すること、更には、実用的な構成の有機トランジスタを簡便に作製出来る有機半導体インクを提供すること。 ジナフトチオフェン誘導体の製造方法であって、以下の(I)及び(II)の工程を有するジナフトチオフェン誘導体の製造方法により、課題を解決する。 ((I)一般式(A)で表せるナフトール誘導体と一般式(B)で表せるナフタレンチオール誘導体を、酸存在下、脱水縮合させて一般式(C)で表せるスルフィド誘導体を製造する第一工程、 (II)前記スルフィド誘導体(C)を、遷移金属の塩又は遷移金属の錯体存在下、脱水素化反応によりジナフトチオフェン誘導体(D)を製造する第二工程。)
請求項（抜粋）：
【請求項1】 一般式(E)で表されるジナフトチオフェン誘導体。ただし、化合物(E-a)、化合物(E-b)、化合物(E-c)、化合物(E-d)、化合物(E-e)、化合物(E-f)、化合物(E-g)、化合物(E-h)、化合物(E-i)、化合物(E-j)、化合物(E-k)、および化合物(E-L)を除く。 (式中、R21〜R32は、水素原子、非環式又は環式の炭素原子数1〜20のアルキル基(当該アルキル基中の-CH2-が、酸素原子、硫黄原子および窒素原子が各々直接結合しないように、-O-、-R’C=CR’-、-CO-、-OCO-、-COO-、-S-、-SO2-、-SO-、-NH-、-NR’-又は-C≡C-で置換されてよく、該アルキル基中の水素原子は、芳香族基、ハロゲノ基、又はニトリル基によって置換されていてもよい(但し、R’は炭素原子数1〜20の非環式又は環式アルキル基を表す。)。)、ハロゲノ基、ニトロ基、又はニトリル基であって、 R21とR32は互いに同じであるか異なり、R22とR31は互いに同じであるか異なり、R23とR30は互いに同じであるか異なり、R24とR29は互いに同じであるか異なり、R25とR28は互いに同じであるか異なり、R26とR27は互いに同じであるか異なるが、R21とR32、R22とR31、R23とR30、R24とR29、R25とR28、R26とR27、の6組の組み合わせのうち、少なくとも一つの組み合わせは互いに異なる。) (Alk1およびAlk2は炭素原子数1〜30の直鎖アルキル基を表す。) (Acはアセチル基を表し、Tは任意の置換基を表す。)
IPC (5件)：
C07D 333/50 ( 200 6.01) ,  H01L 51/05 ( 200 6.01) ,  H01L 51/30 ( 200 6.01) ,  H01L 51/40 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01)
FI (5件)：
C07D 333/50 CSP ,  H01L 29/28 100 A ,  H01L 29/28 250 H ,  H01L 29/28 310 J ,  H01L 29/78 618 B
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)
引用文献：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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