特許
J-GLOBAL ID：201703017020807731
炭化珪素の結晶成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
大野 聖二
, 森田 耕司
, 片山 健一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-253426
公開番号（公開出願番号）：特開2015-110496
特許番号：特許第6129065号
出願日： 2013年12月06日
公開日（公表日）： 2015年06月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 溶液法による炭化珪素の結晶成長方法であって、
Si-C溶液の収容部としてSiCを主成分とする坩堝を用い、
前記Si-C溶液に、金属元素M(Mは、Al、Ga、Ge、Sn、Pb、Znの群から選択される少なくとも1種の金属元素)を含有させ、
前記坩堝を加熱して、前記坩堝内のSi-C溶液の温度が上側から下側に向かって高くなる温度分布を形成するとともに、前記坩堝内における等温線が下側に凸となる温度分布となる状態として、前記Si-C溶液と接触する坩堝表面の高温領域から前記坩堝の主成分であるSiCを源とするSiおよびCを前記Si-C溶液内に溶出せしめて、前記Si-C溶液と接触する坩堝表面でのSiC多結晶の析出を抑制し、
前記坩堝の上部から、前記Si-C溶液にSiC種結晶を接触させて、該SiC種結晶上にSiC単結晶を成長させる、ことを特徴とする炭化珪素の結晶成長方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
審査官引用 (5件)
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SiC単結晶の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2009-254202
出願人：トヨタ自動車株式会社
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SiC単結晶の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-315361
出願人：トヨタ自動車株式会社
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SiC単結晶の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2006-014726
出願人：トヨタ自動車株式会社
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