特許
J-GLOBAL ID：201703017723361727
成分送給機構、プラズマリアクタ、及び、半導体基板を処理する方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-029244
公開番号（公開出願番号）：特開2012-169629
特許番号：特許第6140927号
出願日： 2012年02月14日
公開日（公表日）： 2012年09月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 処理チャンバ内でワークピースを処理するために使用される成分を前記処理チャンバ内部に分配する成分送給機構であって、
気体原材料を前記処理チャンバの所望の領域に出力する複数の成分出力部であって、前記気体原材料を前記処理チャンバの第一の領域に出力するよう構成された第一の成分出力部と、前記気体原材料を前記処理チャンバの第二の領域に出力するよう構成された第二の成分出力部とを少なくとも含む複数の成分出力部であって、前記処理チャンバの前記第一の領域が前記ワークピースの中央部分に対応し、前記処理チャンバの前記第二の領域が前記ワークピースの外側部分に対応する、複数の成分出力部と、
単一のガス供給源に接続されるとともに、前記第一と第二の成分出力部に接続され、前記単一のガス供給源から受け取った前記気体原材料を、前記第一の領域のために前記第一の成分出力部に伝達するか、又は、前記第二の領域のために前記第二の成分出力部に伝達する空間分配スイッチと、
前記処理チャンバの内部に電力を供給して電場を生成するように構成された電力送給機構と、
を備え、
前記電力送給機構は、
プラズマを発生させるとともに維持するのに十分な強さの電力を発生させる単一の電源と、
前記単一の電源に接続された電極であって、前記処理チャンバの前記第一の領域で電場を生成するように構成された第一のコイルと、前記第一のコイルを取り囲み前記処理チャンバの前記第二の領域で電場を生成するように構成された第二のコイルとを有する電極と、
前記単一の電源と前記電極の前記第一のコイル及び前記第二のコイルとの間に配置され、前記単一の電源の電力を前記第一のコイルまたは前記第二のコイルに選択的に振り向けるように構成された電力分配スイッチと、
を含み、
前記電力送給機構は、第一の時間多重化を用いて、前記電力が前記処理チャンバの前記第一の領域のみに供給される第一の供給状態と、前記電力が前記処理チャンバの前記第二の領域のみに供給される第二の供給状態と、の間で交互に切り換わるように、前記電力の供給を選択的に切り換え、
前記空間分配スイッチは、前記第一の時間多重化とは別の第二の時間多重化を用いて、前記気体原材料を前記第一の成分出力部に振り向ける第一の状態と、前記気体原材料を前記第二の成分出力部に振り分ける第二の状態とを有し、処理中に前記処理チャンバ内部に前記気体原材料を空間的に分配するために状態間の時間調節を行うよう構成されており、
前記電力が供給されている時に、前記単一のガス供給源からガスの流れを連続的に供給し、
前記空間分配スイッチは、前記処理チャンバの前記第一の領域に前記気体原材料を分配する時間量を、前記処理チャンバの前記第二の領域に前記気体原材料を分配する時間量に比べて増加させることによって、前記ワークピースの中央部分近くの中性ガスを増加させて、前記ワークピースの表面全体に亘り高度の処理均一化で前記ワークピースの処理を実行する、
成分送給機構。
IPC (4件)：
H01L 21/3065 ( 200 6.01)
, C23C 16/455 ( 200 6.01)
, C23C 16/50 ( 200 6.01)
, H05H 1/46 ( 200 6.01)
H01L 21/302 101 C
, C23C 16/455
, C23C 16/50
, H05H 1/46 L
