半導体ウェハ及び半導体装置の製造方法

発明者： , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北野好人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-232799
公開番号（公開出願番号）：特開2014-086493
特許番号：特許第6044260号
出願日： 2012年10月22日
公開日（公表日）： 2014年05月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】複数のショット領域にパターンがそれぞれ転写された半導体ウェハであって、前記複数のショット領域の各々には、チップ領域が複数ずつ形成され、前記複数のショット領域の各々の複数の前記チップ領域のうちの第1のチップ領域には、第1の態様で繰り返し配列された複数の第1のダミーパターンが形成されており、前記複数のショット領域の各々の前記複数のチップ領域のうちの第2のチップ領域には、前記第1のダミーパターンの第1の配列方向を回転させた第2の配列方向を有し、前記第1の態様と異なる第2の態様で繰り返し配列された複数の第2のダミーパターンが形成されていることを特徴とする半導体ウェハ。

IPC (4件)：

H01L 21/822 ( 200 6.01) , H01L 27/04 ( 200 6.01) , G03F 7/20 ( 200 6.01) , H01L 21/66 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 27/04 T , G03F 7/20 521 , H01L 21/66 B

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-248792 出願人：パナソニック株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-280317 出願人：株式会社ルネサステクノロジ
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-258890 出願人：松下電器産業株式会社

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審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-248792 出願人：パナソニック株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-280317 出願人：株式会社ルネサステクノロジ
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-258890 出願人：松下電器産業株式会社

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