特許
J-GLOBAL ID：201703019827280900

酸化膜除去方法および除去装置、ならびにコンタクト形成方法およびコンタクト形成システム

発明者：
小林 岳志

小林 岳志 について

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村上 誠志

村上 誠志 について

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佐久間 隆

佐久間 隆 について

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冨田 正彦

冨田 正彦 について

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菊地 貴倫

菊地 貴倫 について

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清水 昭貴

清水 昭貴 について

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釜石 貴之

釜石 貴之 について

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津田 栄之輔

津田 栄之輔 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-100389
公開番号（公開出願番号）：特開2017-208469
出願日： 2016年05月19日
公開日（公表日）： 2017年11月24日
要約：
【課題】パターン底部のシリコン部分に形成されたシリコン含有酸化膜を除去する際にCDロスを抑制する。【解決手段】所定パターンが形成された絶縁膜を有し、パターンの底部のシリコン部分に形成されたシリコン含有酸化膜を有する被処理基板において、シリコン含有酸化膜を除去する酸化膜除去方法は、絶縁膜のパターンを含む全面に、カーボン原料ガスを用いたALDによりカーボン系保護膜を成膜する工程と、絶縁膜の上面とパターンの底部の前記カーボン系保護膜を異方性プラズマ処理により選択的に除去する工程と、パターンの底部に形成された前記シリコン含有酸化膜をエッチングにより除去する工程と、カーボン系保護膜の残存部分を除去する工程とを有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
所定パターンが形成された絶縁膜を有し、前記パターンの底部のシリコン部分に形成されたシリコン含有酸化膜を有する被処理基板において、前記シリコン含有酸化膜を除去する酸化膜除去方法であって、 前記絶縁膜の前記パターンを含む全面に、カーボン原料ガスを用いたALDによりカーボン系保護膜を成膜する工程と、 前記絶縁膜の上面と前記パターンの底部の前記カーボン系保護膜を異方性プラズマ処理により選択的に除去する工程と、 前記パターンの底部に形成された前記シリコン含有酸化膜をエッチングにより除去する工程と、 前記カーボン系保護膜の残存部分を除去する工程と を有することを特徴とする酸化膜除去方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/306
FI (2件)：
H01L21/90 C ,  H01L21/302 102
Fターム (36件)：
5F004AA09 ,  5F004BA09 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA20 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004EA03 ,  5F004EA13 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ21 ,  5F033KK01 ,  5F033KK27 ,  5F033NN06 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033WW03 ,  5F033XX00 ,  5F033XX03 ,  5F033XX09
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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