特許
J-GLOBAL ID：201703020074644359

III族窒化物半導体及びその製造方法

発明者：
石橋 明彦

石橋 明彦 について

, 
上田 章雄

上田 章雄 について


出願人/特許権者：
パナソニックIPマネジメント株式会社

パナソニックIPマネジメント株式会社 について


代理人 (1件)： 鷲田 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-223291
公開番号（公開出願番号）：特開2017-183697
出願日： 2016年11月16日
公開日（公表日）： 2017年10月05日
要約：
【課題】高品質なIII族窒化物結晶を含むIII族窒化物半導体及びその製造方法を提供する。【解決手段】一般式RAMO4で表される単結晶体(一般式において、Rは、Sc、In、Y、およびランタノイド系元素からなる群から選択される一つまたは複数の三価の元素を表し、Aは、Fe(III)、Ga、およびAlからなる群から選択される一つまたは複数の三価の元素を表し、Mは、Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、ZnおよびCdからなる群から選択される一つまたは複数の二価の元素を表す)からなるRAMO4基板001と、該RAMO4基板上に配されたIII族窒化物結晶004と、該RAMO4基板と該III族窒化物結晶との間に、該RAMO4基板と該III族窒化物結晶とも異なる材料で構成され、かつ、複数の開口を有する異種膜009と、を有する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
一般式RAMO4で表される単結晶体(一般式において、Rは、Sc、In、Y、およびランタノイド系元素からなる群から選択される一つまたは複数の三価の元素を表し、Aは、Fe(III)、Ga、およびAlからなる群から選択される一つまたは複数の三価の元素を表し、Mは、Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn、およびCdからなる群から選択される一つまたは複数の二価の元素を表す)からなるRAMO4基板と、 前記RAMO4基板上に形成され、前記RAMO4基板と異なる材料で構成され、かつ、複数の開口を有する異種膜と、 前記異種膜上および前記異種膜の開口内に形成され、前記異種膜と異なる材料で構成され、かつ、前記一般式においてMで表される元素を含有するIII族窒化物結晶と、 を有する、III族窒化物半導体。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  C23C 16/34
FI (4件)：
H01L21/205 ,  C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  C23C16/34
Fターム (52件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB06 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077EA06 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EE03 ,  4G077EE07 ,  4G077EF02 ,  4G077GA01 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK08 ,  4G077TK10 ,  4G077TK11 ,  4K030AA11 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA01 ,  4K030DA05 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC18 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF00 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045DA58 ,  5F045DB02 ,  5F045DB06
引用特許：
審査官引用 (9件)
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