特許

J-GLOBAL ID：200903037875077267

III-V族化合物半導体の結晶成長方法、発光デバイスの製造方法および電子デバイスの製造方法

発明者： 中村 孝夫 ,  上野 昌紀 ,  上田 登志雄 ,  高須賀 英良 ,  千田 裕彦
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-022939
公開番号（公開出願番号）：特開2009-184836
出願日： 2008年02月01日
公開日（公表日）： 2009年08月20日
要約：

【課題】危険性を低減し、かつ低温で効率よく窒素を供給できるIII-V族化合物半導体の結晶成長方法、発光デバイスの製造方法および電子デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】III-V族化合物半導体102の結晶成長方法は、以下の工程を備えている。まず、窒素の原料としてモノメチルアミンおよびモノエチルアミンの少なくともいずれか一方を含むガスが準備される。そして、ガスを用いて気相成長法によりIII-V族化合物半導体102が成長される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

窒素の原料としてモノメチルアミンおよびモノエチルアミンの少なくともいずれか一方を含むガスを準備する工程と、 前記ガスを用いて気相成長法によりIII-V族化合物半導体を成長させる工程とを備えた、III-V族化合物半導体の結晶成長方法。

IPC (14件)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/02 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (11件)：

C30B29/38 Z ,  C30B25/02 Z ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L21/203 M ,  H01L33/00 C ,  H01S5/343 610 ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658E ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/80 H

Fターム (89件)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077DA05 ,  4G077DB04 ,  4G077DB08 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077SA04 ,  4G077SC01 ,  4G077TA04 ,  4G077TA06 ,  4G077TB03 ,  4G077TB05 ,  4G077TC01 ,  4G077TC19 ,  4K030AA01 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030LA14 ,  4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104FF13 ,  4M104GG03 ,  4M104GG04 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG12 ,  4M104GG14 ,  5F041AA42 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AF04 ,  5F045BB07 ,  5F045BB20 ,  5F045CA09 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F103AA04 ,  5F103BB05 ,  5F103DD00 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103JJ01 ,  5F103JJ03 ,  5F103KK01 ,  5F103KK10 ,  5F103LL01 ,  5F103NN01 ,  5F103RR10 ,  5F173AH22 ,  5F173AP06 ,  5F173AQ13 ,  5F173AR94 ,  5F173AR99

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 窒化物系化合物半導体の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-177042   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭61-241913号公報
  
• 特開昭63-103894号公報
  

審査官引用 (9件)

• III-V族化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-344223   出願人：シャープ株式会社
• 特開平4-170398
  
• 窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-054063   出願人：シャープ株式会社
• 特開平3-080198
  
• III族窒化物半導体積層構造体およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-293570   出願人：昭和電工株式会社
• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-358106   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-329250   出願人：日亜化学工業株式会社
• 化合物半導体薄膜の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-144842   出願人：エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社
• 特開平4-042891
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Pyrolysis of monomethylhydrazine for organometallic vapor-phase epitaxy (OMVPE) growth