特許
J-GLOBAL ID：201703020253313730
カーボンナノチューブの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岸本 達人
, 山下 昭彦
, 山本 典輝
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-275890
公開番号（公開出願番号）：特開2014-028733
特許番号：特許第6210445号
出願日： 2012年12月18日
公開日（公表日）： 2014年02月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 カーボンナノチューブ成長触媒を担持した基板の表面にカーボンナノチューブを成長させるカーボンナノチューブの製造方法であって、
真空チャンバ内に、カーボンナノチューブ成長触媒を担持した基板を配置する工程と、
前記真空チャンバ内に、炭素原子を含む分子構造を有する炭素源ガスを少なくとも含む原料ガスを導入すると共に、プラズマ発生手段を用いて前記真空チャンバ内にプラズマを発生させることによって、前記炭素源ガスをプラズマで分解し、該分解された前記炭素源ガスを前記基板の表面に接触させることで、前記基板の表面にカーボンナノチューブを成長させる工程と、を有し、
前記カーボンナノチューブ成長工程において、プラズマ発生領域において分解された前記炭素源ガスが前記基板表面に到達するのを可能とする一方、前記プラズマ発生領域において発生したプラズマが前記基板表面に到達するのを阻止することが可能な遮断部材を配置し、
前記原料ガスが、窒素原子を含む分子構造を有する含窒素ガスをさらに含み、該原料ガスにおける前記含窒素ガスに由来する窒素原子量が0.265mg/L以上、0.835mg/L以下であり、前記原料ガスの総体積を100体積%としたときの前記含窒素ガスの体積割合(%)が、1.19体積%以上、3.85体積%以下であり、
前記カーボンナノチューブ成長工程において、前記基板の周囲雰囲気の圧力が3.33〜4.00kPaであり、前記基板温度が550°C以上、800°C以下であることを特徴とする、カーボンナノチューブの製造方法。
IPC (3件)：
C01B 32/16 ( 201 7.01)
, B82Y 40/00 ( 201 1.01)
, C23C 16/26 ( 200 6.01)
C01B 32/16
, B82Y 40/00
, C23C 16/26
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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引用文献：
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