特許
J-GLOBAL ID：201703020792822834

磁気抵抗素子の製造方法及び磁気抵抗素子の製造システム

発明者：
今北 健一

今北 健一 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  黒木 義樹 ,  柏岡 潤二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-207745
公開番号（公開出願番号）：特開2017-079089
出願日： 2015年10月22日
公開日（公表日）： 2017年04月27日
要約：
【課題】RA及びMR比に優れた磁気抵抗素子の製造を可能とする。【解決手段】一実施形態の磁気抵抗素子の製造方法は、ベース基板上に下部電極を構成する第1の積層体を形成する工程と、第1の積層体の上に磁気抵抗効果積層体である第2の積層体を形成する工程と、第2の積層体の上に上部電極を形成する工程と、を含む。第1の積層体を形成する工程は、ベース基板の上に金属層を形成する工程と、金属層の上に導電性アモルファス層を形成する工程と、導電性アモルファス層に対してイオンエッチングを行う工程と、を含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
磁気抵抗素子の製造方法であって、 ベース基板上に前記磁気抵抗素子の下部電極を構成する第1の積層体を形成する工程と、 前記第1の積層体の上に前記磁気抵抗素子の磁気抵抗効果積層体である第2の積層体を形成する工程と、 前記第2の積層体の上に前記磁気抵抗素子の上部電極を形成する工程と、 を含み、 第1の積層体を形成する前記工程は、 前記ベース基板の上に金属層を形成する工程と、 前記金属層の上に導電性アモルファス層を形成する工程と、 前記導電性アモルファス層に対してイオンエッチングを行う工程と、 を含む、製造方法。
IPC (5件)：
G11B 5/39 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105
FI (4件)：
G11B5/39 ,  H01L43/08 D ,  H01L43/12 ,  H01L27/10 447
Fターム (25件)：
4M119AA17 ,  4M119BB01 ,  4M119JJ03 ,  4M119JJ12 ,  5D034BA03 ,  5D034BA09 ,  5D034BA21 ,  5D034CA00 ,  5D034CA06 ,  5D034DA04 ,  5D034DA07 ,  5F092AA02 ,  5F092AB02 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092BB22 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BB55 ,  5F092BC12 ,  5F092BE06 ,  5F092CA02 ,  5F092CA08 ,  5F092GA05
引用特許：
審査官引用 (5件)
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