特許
J-GLOBAL ID：200903090250625272

スピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜またはTMR膜の製造方法

発明者：
恒川 孝二

恒川 孝二 について

, 
中嶋 大輔

中嶋 大輔 について


出願人/特許権者：
キヤノンアネルバ株式会社

キヤノンアネルバ株式会社 について


代理人 (2件)： 渡辺 敬介 ,  山口 芳広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-259578
公開番号（公開出願番号）：特開2009-055050
出願日： 2008年10月06日
公開日（公表日）： 2009年03月12日
要約：
【課題】高い磁気抵抗変化率(MR比)と低い層間結合磁界(Hin)を両立するスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜を製造することができるスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜またはTMR膜の製造方法を提供する。【解決手段】反強磁性層、磁化固定層、非磁性伝導層または酸化物層、磁化自由層の順番で膜して積層したボトムタイプのスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜またはTMR膜の製造方法において、所定の積層界面にプラズマ処理を施して磁化固定層と磁化自由層の間に作用する層間結合磁界を低減し、高MR比が得られるようにする。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
反強磁性層、磁化固定層、非磁性伝導層または酸化物層、磁化自由層の順番で膜して積層したボトムタイプのスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜またはTMR膜の製造方法において、 前記反強磁性層と前記磁化固定層の界面、前記磁化固定層と前記非磁性伝導層または前記酸化物層の界面のうちの少なくとも1箇所に対し、成膜を中断して不活性ガスのプラズマにさらすプラズマ処理を行うことを特徴とするスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜またはTMR膜の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 43/12 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08
FI (3件)：
H01L43/12 ,  G11B5/39 ,  H01L43/08 Z
Fターム (26件)：
5D034BA03 ,  5D034BA15 ,  5D034DA07 ,  5F092AA02 ,  5F092AB02 ,  5F092AB06 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092BB09 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB31 ,  5F092BB35 ,  5F092BB42 ,  5F092BB51 ,  5F092BB53 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC13 ,  5F092BC18 ,  5F092BC46 ,  5F092CA19 ,  5F092GA05
引用特許：
審査官引用 (13件)
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