特許
J-GLOBAL ID：200903062454154577

磁気抵抗多層膜

発明者：
ダビッド ジュリアント ジャヤプラウィラ

ダビッド ジュリアント ジャヤプラウィラ について

, 
恒川 孝二

恒川 孝二 について

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長井 基将

長井 基将 について


出願人/特許権者：
アネルバ株式会社

アネルバ株式会社 について


代理人 (1件)： 保立 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-335454
公開番号（公開出願番号）：特開2005-101441
出願日： 2003年09月26日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：
【課題】 磁気抵抗多層膜の構造において層間結合を効果的に低減させることができる実用的な技術を提供する。【解決手段】 巨大磁気抵抗効果を利用する再生用磁気ヘッドやMRAMに使用される磁気抵抗多層膜であり、反強磁性層3と、反強磁性層3との結合により磁化の向きが固定されている磁化固定層4と、非磁性スペーサ層5と、磁化の向きが自由である磁化自由層6とが順に積層された構造を有する。反強磁性層3の磁化固定層4とは反対側には、Crの原子数比が41%以上で、好ましくは70%以下であるNiCr膜より成る下地層7が設けられている。各層の薄膜は、マグネトロンスパッタリングにより作製される。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
反強磁性層と、反強磁性層との結合により磁化の向きが固定されている磁化固定層と、非磁性スペーサ層と、磁化の向きが自由である磁化自由層とが順に積層された磁気抵抗多層膜であって、 反強磁性層の磁化固定層とは反対側には、ニッケルとクロムとより成る層であって、クロムの原子数比が41%以上である反対側層を有することを特徴とする磁気抵抗多層膜。
IPC (3件)：
H01L43/08 ,  G11B5/39 ,  H01L27/105
FI (3件)：
H01L43/08 Z ,  G11B5/39 ,  H01L27/10 447
Fターム (8件)：
5D034BA03 ,  5D034BB00 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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