特許
J-GLOBAL ID：201703021110589714

Bi系酸化物超伝導薄膜の製造方法とBi系酸化物超伝導薄膜構造体

発明者：
遠藤 和弘

遠藤 和弘 について

, 
有沢 俊一

有沢 俊一 について


出願人/特許権者：
国立研究開発法人物質・材料研究機構

国立研究開発法人物質・材料研究機構 について

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学校法人金沢工業大学

学校法人金沢工業大学 について


代理人 (1件)： 特許業務法人サクラ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-107188
公開番号（公開出願番号）：特開2016-222467
出願日： 2015年05月27日
公開日（公表日）： 2016年12月28日
要約：
【課題】c軸を斜め配向させたBi系酸化物超伝導薄膜を再現性よく得ることを可能にしたBi系酸化物超伝導薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】Bi系酸化物超伝導薄膜の製造方法においては、ペロブスカイト型結晶、疑似ペロブスカイト型結晶、または岩塩型結晶の2回対称の結晶面CFから3°以上25°以下の角度βで傾斜した表面SSを有する酸化物の単結晶基板1を用意する。単結晶基板1の表面SSにBi系酸化物超伝導体結晶を成長させて、Bi系酸化物超伝導薄膜2を成膜する。Bi系酸化物超伝導体結晶のc軸を、単結晶基板1の結晶面CFから所定の角度α1で斜め方向に、かつ表面SSの結晶面CFからの傾斜角βに基づいて1方向のみに成長させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ペロブスカイト型結晶、疑似ペロブスカイト型結晶、または岩塩型結晶の2回対称の結晶面から3°以上25°以下の角度で傾斜した表面を有するペロブスカイト型、疑似ペロブスカイト型、または岩塩型の酸化物単結晶基板を用意する工程と、 前記酸化物単結晶基板の前記表面にBi系酸化物超伝導体結晶を成長させて、Bi系酸化物超伝導薄膜を成膜する工程を具備し、 前記Bi系酸化物超伝導体結晶のc軸を、前記結晶面から所定の角度で斜め方向に、かつ前記表面の前記結晶面からの傾斜角に基づいて1方向のみに成長させて、前記Bi系酸化物超伝導薄膜を成膜することを特徴とするBi系酸化物超伝導薄膜の製造方法。
IPC (1件)：
C30B 29/22
FI (1件)：
C30B29/22 501J
Fターム (11件)：
4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BC58 ,  4G077DB08 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077HA08 ,  4G077TA04 ,  4G077TB05 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (14件)
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