特許
J-GLOBAL ID：201703021271556336

半導体レーザ装置

発明者：
森住 直人

森住 直人 について

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浪江 貴史

浪江 貴史 について

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中川 崇史

中川 崇史 について

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薦田 大祐

薦田 大祐 について

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正瑞 浩章

正瑞 浩章 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 新樹グローバル・アイピー特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-169117
公開番号（公開出願番号）：特開2017-045936
出願日： 2015年08月28日
公開日（公表日）： 2017年03月02日
要約：
【課題】半導体レーザ装置における各種部材、特に、波長変換部の位置ずれを最小限にとどめ、確実に固定された半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】基部11と、半導体レーザ素子12と、基部11の上方に設けられ、その上方に設けられた凹部の底に貫通孔を有する蓋部13と、凹部に配置され、蓋部13の貫通孔の上方に、蓋部13の貫通孔よりも径が小さい貫通孔を有し、蓋部13と異なる熱膨張係数を有する保持部14と、保持部14の貫通孔に保持された波長変換部15と、蓋部13に固定され、保持部14の上面を押さえる押え部16とを有し、凹部の側面は、保持部14の側面と離間し、凹部の側面と保持部14の側面との間の少なくとも一部には緩衝材17が配置されている。【選択図】図1A
請求項（抜粋）：
基部と、 前記基部の上方に設けられた半導体レーザ素子と、 前記基部の上方に設けられ、前記半導体レーザ素子を収容し、上方に設けられた凹部の底に貫通孔を有する蓋部と、 前記凹部に配置され、前記蓋部の貫通孔の上方に前記蓋部の貫通孔よりも径が小さい貫通孔を有し、前記蓋部と異なる熱膨張係数を有する保持部と、 前記保持部の貫通孔に保持された波長変換部と、 前記蓋部に固定され、前記保持部の上面を押さえる押え部とを有し、 前記凹部の側面と前記保持部の側面とは離間しており、 前記凹部の側面と前記保持部の側面との間の少なくとも一部に緩衝材が配置されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (1件)：
H01S 5/022
FI (1件)：
H01S5/022
Fターム (19件)：
5F173MB01 ,  5F173MB05 ,  5F173MC03 ,  5F173MC12 ,  5F173MC16 ,  5F173ME03 ,  5F173ME22 ,  5F173ME32 ,  5F173ME33 ,  5F173ME34 ,  5F173ME57 ,  5F173ME63 ,  5F173ME65 ,  5F173ME76 ,  5F173ME86 ,  5F173MF03 ,  5F173MF28 ,  5F173MF39 ,  5F173MF40
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (9件)
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