富樫理恵

トガシリエ | Togashi Rie

所属機関・部署：
職名：准教授

研究分野 (3件)：構造材料、機能材料 , 電子デバイス、電子機器 , 結晶工学

研究キーワード (9件)：光デバイス , マイクロLED , InGaN/GaNナノコラム , ハイドライド気相成長法 , 第一原理計算 , 酸化物半導体結晶成長 , III族窒化物半導体結晶成長 , 熱力学解析 , 半導体結晶成長

競争的資金等の研究課題 (15件)：

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論文 (59件)：

Takayoshi Oshima, Rie Togashi, Yuichi Oshima. Plasma-free anisotropic selective-area etching of β-Ga ₂ O ₃ using forming gas under atmospheric pressure. Science and Technology of Advanced Materials. 2024. 25. 1. 2378683
Kota Hoshino, Rie Togashi, Katsumi Kishino. Red Emission of Well-Ordered InGaN/GaN Nanocolumn Arrays on Si (111) Substrates Grown via Nanotemplate Selective-Area Growth. physica status solidi (b). 2024. 2400064-1-2400064-8
Hiroyuki Shimada, Hironobu Kariyazono, Yohei Nakagawa, Shinji Terao, Kentaro Takayanagi, Koichiro Akasaka, Shunsuke Ishizawa, Koichi Morozumi, Tsutomu Asakawa, Rie Togashi, et al. Bottom-up vertical GaN nanocolumn Schottky barrier diodes with extremely high packing density grown by molecular beam epitaxy. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 2. 02SP67-02SP67
岸野克巳, 富樫理恵, 大音隆男. マイクロLED(μLED)ディスプレイに向けたInGaN/GaNナノコラムの進展. 日本結晶成長学会誌. 2024. 51. 2
Katsumi Kishino, Ai Mizuno, Tatsuya Honda, Jumpei Yamada, Rie Togashi. Improving the luminous efficiency of red nanocolumn μ-LEDs by reducing electrode size to φ2.2 μm. Applied Physics Express. 2023. 17. 1. 014004-014004

MISC (77件)：

講演・口頭発表等 (377件)：

半極性GaInN活性層を有するナノコラムの発光バラつき改善
(第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024)
ナノコラム結晶成長におけるGaInN/GaInN MQWへのAlN 中間層の挿入効果
(第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024)
プラズモニック結晶デバイス応用を目指したナノコラム選択成長法によるハニカム格子 InGaN/GaNナノコラムの作製
(第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024)
異なるナノコラムサイズをもつ InGaN/GaN ナノコラムの微細集積化
(第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024)
(10-11)ファセットを有するGaInN系ナノコラム上MQWの検討
(第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024)

学位 (1件)：

受賞 (4件)：

2016/03/19 - 応用物理学会第6回(2015年度)女性研究者研究業績・人材育成賞(小舘香椎子賞)研究業績部門(若手) 実験と計算化学の協調によるIII族窒化物半導体気相成長の研究
2015/11/06 - The 1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015 Young Researcher Award Comparative Study on Thermal Stability of Group-III Oxides
2014/07/26 - 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会研究奨励賞前駆体二段階生成HVPE法による高速・高温InN成長
2010/05/15 - 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会発表奨励賞 GaN自立基板上InNハイドライド気相成長における基板極性の影響

所属学会 (4件)：

応用物理学会 , 日本結晶成長学会 , 結晶工学分科会 , ナノ構造・エピタキシャル成長分科会

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富樫 理恵