富樫理恵

トガシリエ | Togashi Rie

所属機関・部署：
職名：准教授

研究分野 (3件)：構造材料、機能材料 , 電子デバイス、電子機器 , 結晶工学

研究キーワード (6件)：ハイドライド気相成長法 , 第一原理計算 , 酸化物半導体結晶成長 , III族窒化物半導体結晶成長 , 熱力学解析 , 半導体結晶成長

競争的資金等の研究課題 (14件)：

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論文 (59件)：

Katsumi Kishino, Ai Mizuno, Tatsuya Honda, Jumpei Yamada, Rie Togashi. Improving the luminous efficiency of red nanocolumn μ-LEDs by reducing electrode size to φ2.2 μm. Applied Physics Express. 2023. 17. 1. 014004-014004
Takao Oto, Aoto Aihara, Kai Motoyama, Shunsuke Ishizawa, Koichi Okamoto, Rie Togashi, Katsumi Kishino. Plasmonic red-light-emission enhancement by honeycomb-latticed InGaN/GaN ordered fine nanocolumn arrays. Applied Physics Express. 2023. 16. 115001
Jumpei Yamada, Ai Mizuno, Tatsuya Honda, Keigo Yoshida, Rie Togashi, Ichirou Nomura, Tomohiro Yamaguchi, Tohru Honda, Katsumi Kishino. InGaN/GaN superlattice underlayer for fabricating of red nanocolumn μ-LEDs with (10-11) plane InGaN/AlGaN MQWs. Nanotechnology. 2023. 34. 43. 435201-435201
Rie Togashi, Ken Goto, Masataka Higashiwaki, Yoshinao Kumagai. Thermodynamic analysis of molecular beam epitaxy of group-III sesquioxides. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2023. 62. 5
Rie Togashi, Haruka Ishida, Ken Goto, Masataka Higashiwaki, Yoshinao Kumagai. Thermodynamic analysis of β-Ga2O3 </sub>growth by molecular beam epitaxy. Japanese Journal of Applied Physics. 2022

MISC (77件)：

講演・口頭発表等 (351件)：

ナノコラムLEDにおける連続的なITO電極形成技術
(第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023)
ナノテンプレート選択成長法によるSi(111)基板上InGaN/GaNナノコラム成長
(第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023)
(10-11)上GaInN/GaInN MQWs成長による高効率赤色発光
(第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023)
半極性面GaInN活性層を有する赤色発光ナノコラムの構造評価
(第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023)
c面活性層ナノコラムの貫通転位発生のメカニズム
(第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023)

学位 (1件)：

受賞 (4件)：

2016/03/19 - 応用物理学会第6回(2015年度)女性研究者研究業績・人材育成賞(小舘香椎子賞)研究業績部門(若手) 実験と計算化学の協調によるIII族窒化物半導体気相成長の研究
2015/11/06 - The 1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015 Young Researcher Award Comparative Study on Thermal Stability of Group-III Oxides
2014/07/26 - 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会研究奨励賞前駆体二段階生成HVPE法による高速・高温InN成長
2010/05/15 - 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会発表奨励賞 GaN自立基板上InNハイドライド気相成長における基板極性の影響

所属学会 (4件)：

応用物理学会 , 日本結晶成長学会 , 結晶工学分科会 , ナノ構造・エピタキシャル成長分科会

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富樫 理恵