研究者
J-GLOBAL ID:201801000870230794   更新日: 2024年09月19日

牧原 克典

マキハラ カツノリ | Makihara Katsunori
所属機関・部署:
職名: 准教授
ホームページURL (1件): http://www.nuee.nagoya-u.ac.jp/labs/miyazakilab/
研究分野 (1件): 電子デバイス、電子機器
研究キーワード (1件): Si系量子ドット
競争的資金等の研究課題 (21件):
  • 2022 - 2025 ゲルマニウム二次元結晶のヘテロ構造形成と電子物性制御
  • 2021 - 2024 ハイブリッドスーパーアトム創成による量子物性制御と新機能デバイス開発
  • 2019 - 2023 Si-Ge系スーパーアトムの内部ポテンシャル変調による量子機能材料創成
  • 2020 - 2022 シリコン酸化膜に覆われたゲルマネンを用いた超高速エレクトロニクスの開発
  • 2019 - 2021 ナノドットの超高密度規則配列と電子・スピン結合制御
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論文 (174件):
  • Yuki Imai, Ryoya Tsuji, Katsunori Makihara, Noriyuki Taoka, Akio Ohta, Seiichi Miyazaki. Alignment control of self-assembling Si quantum dots. MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. 2023. 162
  • Katsunori Makihara, Yuji Yamamoto, Yuki Imai, Noriyuki Taoka, Markus Andreas Schubert, Bernd Tillack, Seiichi Miyazaki. Room Temperature Light Emission from Superatom-like Ge-Core/Si-Shell Quantum Dots. NANOMATERIALS. 2023. 13. 9
  • Shunsuke Nishimura, Noriyuki Taoka, Akio Ohta, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki. Formation of ultra-thin NiGe film with single crystalline phase and smooth surface. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2023. 62. SC
  • Taiki Sakai, Akio Ohta, Keigo Matsushita, Noriyuki Taoka, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki. Evaluation of chemical structure and Si segregation of Al/Si(111). JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2023. 62. SC
  • Taisei Nagai, Noriyuki Taoka, Akio Ohta, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki. Effects of Cl passivation on Al2O3/GaN interface properties. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2023. 62. SA
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MISC (151件):
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特許 (10件):
  • 半導体薄膜およびその製造方法
  • 結晶半導体の製造方法およびそれを用いた半導体素子の製造方法
  • 半導体製造装置、ゲルマニウムドットの製造方法およびそれを用いた半導体メモリの製造方法
  • 金属ドットの製造方法およびそれを用いた半導体メモリの製造方法
  • 発光素子およびその製造方法
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講演・口頭発表等 (652件):
  • Ge量子ドット像のXANAMによるX線エネルギー依存性測定
    (第67回応用物理学会春季学術講演会 2020)
  • Sapphire(0001)上にスパッタ形成したGe薄膜の結晶化
    (第67回応用物理学会春季学術講演会 2020)
  • Reduced-Pressure CVDによるGeコアSi量子ドットの高密度一括形成と発光特性評価
    (第67回応用物理学会春季学術講演会 2020)
  • グラフェン電極を用いたSi量子ドット多重集積構造からの電界電子放出
    (第67回応用物理学会春季学術講演会 2020)
  • Al/Ge(111)の表面偏析制御による極薄Ge結晶形成
    (第67回応用物理学会春季学術講演会 2020)
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学歴 (1件):
  • 2003 - 2006 広島大学 先端物質科学研究科 半導体集積科学
学位 (1件):
  • 博士(工学) (広島大学)
経歴 (6件):
  • 2017/04/01 - 現在 名古屋大学 大学院工学研究科 電子工学専攻 情報デバイス工学 准教授
  • 2014/04/01 - 2017/03/31 名古屋大学 大学院工学研究科 量子工学専攻 量子ナノエレクトロニクス 准教授
  • 2013/06/01 - 2014/03/31 名古屋大学 大学院工学研究科 量子工学専攻 量子ナノエレクトロニクス 助教
  • 2010/12/01 - 2013/05/31 名古屋大学 大学院工学研究科 電子情報システム専攻 助教
  • 2009/04/01 - 2010/11/30 広島大学大学院先端物質科学研究科、研究員
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受賞 (7件):
  • 2012/03/15 - 公益社団法人 応用物理学会 第31回(2011年秋季)応用物理学会講演奨励賞
  • 2012/03/08 - ISPlasma2012 Organizing Committee Chair ISPlasma2012 Best Presentation Award
  • 2008/12/13 - The IUMRS International Conference in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008) Award for Encouragement of Research in Materials Science : The Materials Research Society of Japan (MRS-J)
  • 2006/03/23 - 広島大学 広島大学学生表彰
  • 2005/12/28 - Materials Research Society of Japan Award for Encouragement of Research of Materials Science
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所属学会 (5件):
薄膜・表面物理分科会 ,  日本表面科学会 ,  日本真空学会 ,  応用物理学会 ,  シリコンテクノロジー分科会
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