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J-GLOBAL ID：201802217129881554   整理番号：18A1330527

Tiナノドットを埋め込んだSiリッチ酸化物の定電圧・電流印加による抵抗スイッチング特性の評価

Evaluation of resistive switching properties of Si-rich oxide embedded with Ti nanodots by applying constant voltage and current

著者 (5件)： OHTA Akio (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KATO Yusuke (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  IKEDA Mitsuhisa (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MAKIHARA Katsunori (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MIYAZAKI Seiichi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 6S1  ページ： 06HD05.1-06HD05.4  発行年： 2018年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ナノ構造 ,  *チタン ,  *酸化ケイ素 ,  *供給 ,  電流 ,  *スイッチング ,  化学組成 ,  記憶装置 ,  MIM構造 ,  *ナノドット ,  *抵抗スイッチング ,  抵抗スイッチングメモリ
準シソーラス用語： *電圧印加

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (31件)：

• T. W. Hickmott, J. Appl. Phys. 33, 2669 (1962).
• J. F. Gibbons and W. E. Beadle, Solid-State Electron. 7, 785 (1964).
• I. G. Baek, M. S. Lee, S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, D. S. Suh, J. C. Park, S. O. Park, H. S. Kim, I. K. Yoo, H. I. Chung, and J. T. Moon, IEDM Tech. Dig., 2005, p. 587.
• A. Sawa, Mater. Today 11 [6], 28 (2008).
• S. Q. Liu, N. J. Wu, and A. Ignatieva, Appl. Phys. Lett. 76, 2749 (2000).

タイトルに関連する用語 (8件)： Ti ,  ナノドット ,  Si ,  酸化物 ,  定電圧 ,  印加 ,  スイッチング特性 ,  評価