ArまたはHeを混合したリモート酸素プラズマによる化学気相成長法を用いて形成されたSiO<sub>2</sub>/GaN構造の界面特性

NGUYEN Xuan Truyen; NGUYEN Xuan Truyen; TAOKA Noriyuki; OHTA Akio; MAKIHARA Katsunori; YAMADA Hisashi; TAKAHASHI Tokio; IKEDA Mitsuhisa; SHIMIZU Mitsuaki; SHIMIZU Mitsuaki; MIYAZAKI Seiichi; MIYAZAKI Seiichi; MIYAZAKI Seiichi

文献

J-GLOBAL ID：201802292614215845 整理番号：18A1330585

ArまたはHeを混合したリモート酸素プラズマによる化学気相成長法を用いて形成されたSiO₂/GaN構造の界面特性

Interface properties of SiO₂/GaN structures formed by chemical vapor deposition with remote oxygen plasma mixed with Ar or He

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Japanese Journal of Applied Physics (Japanese Journal of Applied Physics)

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巻： 57 号： 6S3 ページ： 06KA01.1-06KA01.7 発行年： 2018年06月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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引用文献 (34件)：

J. Robertson and B. Falabretti, J. Appl. Phys. 100, 014111 (2006).
M. Grodzicki, P. Mazur, S. Zuber, J. Brona, and A. Ciszewski, Appl. Surf. Sci. 304, 20 (2014).
E. Ogawa and T. Hashizume, Jpn. J. Appl. Phys. 50, 021002 (2011).
S. Okada, H. Miyake, K. Hiramatsu, R. Miyagawa, O. Eryu, and T. Hashizume, Jpn. J. Appl. Phys. 55, 01AC08 (2016).
A. N. Hattori, K. Endo, K. Hattori, and H. Daimon, Appl. Surf. Sci. 256, 4745 (2010).

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ArまたはHeを混合したリモート酸素プラズマによる化学気相成長法を用いて形成されたSiO2/GaN構造の界面特性

ArまたはHeを混合したリモート酸素プラズマによる化学気相成長法を用いて形成されたSiO₂/GaN構造の界面特性