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J-GLOBAL ID：201802247432460705   整理番号：18A1330592

全光電子収率分光法によるGaN表面とSiO₂/GaN界面における電子状態密度のエネルギー分布

Total photoelectron yield spectroscopy of energy distribution of electronic states density at GaN surface and SiO₂/GaN interface

著者 (6件)： OHTA Akio (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  NGUYEN Xuan Truyen (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  FUJIMURA Nobuyuki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  IKEDA Mitsuhisa (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MAKIHARA Katsunori (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MIYAZAKI Seiichi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 6S3  ページ： 06KA08.1-06KA08.6  発行年： 2018年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *表面分析 ,  *窒化ガリウム ,  表面 ,  *二酸化ケイ素 ,  界面 ,  *状態密度 ,  エネルギー分布 ,  原子間力顕微鏡 ,  *表面構造 ,  バンド構造 ,  容量電圧特性 ,  *光電子収率分光法 ,  半導体表面 ,  *電子状態密度 ,  *トポロジカル表面状態 ,  *構造

分類 (3件)： 界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K)

引用文献 (33件)：

• H. Okumura, Jpn. J. Appl. Phys. 45, 7565 (2006).
• W. Saito, I. Omura, T. Ogura, and H. Ohashi, Solid-State Electron. 48, 1555 (2004).
• T. Kachi, Jpn. J. Appl. Phys. 53, 100210 (2014).
• T. Ueda, M. Ishida, T. Tanaka, and D. Ueda, Jpn. J. Appl. Phys. 53, 100214 (2014).
• Z. Yatabe, J. T. Asubar, and T. Hashizume, J. Phys. D 49, 393001 (2016).

タイトルに関連する用語 (6件)： 光電子収率分光法 ,  GaN ,  SiO2 ,  界面 ,  電子状態密度 ,  エネルギー分布