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J-GLOBAL ID：201802210491329473   整理番号：18A2242896

バッファ層として(101)PdOを用いた(111)SrTiO₃基板上へのペロブスカイト型酸化物薄膜のエピタキシャル成長

Epitaxial growth of perovskite-type oxide thin film on (111)SrTiO₃ substrate using (101)PdO as a buffer layer

著者 (5件)： TANAKA Hiroki (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  UCHIYAMA Kiyoshi (National Inst. of Technol., Tsuruoka Coll., Yamagata, JPN) ,  OIKAWA Takahiro (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  SHIMIZU Takao (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  FUNAKUBO Hiroshi (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 11S  ページ： 11UF04.1-11UF04.4  発行年： 2018年11月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *バッファ層 ,  *酸化パラジウム ,  *チタン酸ストロンチウム ,  ペロブスカイト型結晶 ,  酸化物 ,  薄膜 ,  *エピタクシー ,  X線回折 ,  スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  酸化物薄膜
準シソーラス用語： *エピタキシャル成長 ,  XRD分析 ,  RFマグネトロンスパッタリング

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I)

引用文献 (31件)：

• J. G. Bednorz and K. A. Müller, Z. Phys. B 64, 189 (1986).
• S. M. Spearing, Acta Mater. 48, 179 (2000).
• N. Setter, in Piezoelectric Materials in Devices, ed. N. Setter (Ceramics Laboratory EPFL Swiss Federal Institute of Technology, Lausanne, 2002) p. 1.
• J. F. Scott and C. Paz de Araujo, Science 246, 1400 (1989).
• O. Auciello, J. F. Scott, and R. Ramesh, Phys. Today 51 [7], 22 (1998).

タイトルに関連する用語 (5件)： バッファ層 ,  PDO ,  ペロブスカイト ,  酸化物薄膜 ,  エピタキシャル成長