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J-GLOBAL ID：201802215607085994   整理番号：18A0118531

Ge薄膜のFLA結晶化におけるキャップ層の効果

Effect of SiO_x capping film on crystallization of Ge film by flash lamp annealing

著者 (6件)： 吉岡尚輝 (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  秋田佳輝 (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  部家彰 (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  松尾直人 (兵庫県大 大学院工学研究科) ,  小濱和之 (大阪大) ,  伊藤和博 (大阪大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117  号： 372(EID2017 11-29)  ページ： 77-80  発行年： 2017年12月15日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： GeはSiに比べて高い電子・正孔移動度を持つため,次世代MOSFETのチャネル材料として期待される。電子ビーム蒸着法で厚み15,30,60nmのGe膜を石英基板上に室温条件下で蒸着した。一部の試料では膜厚10nmのSiO_xキャップ膜を反応性スパッタ法でGe基板上に蒸着した。フラッシュランプアニール(FLA)照射時の低ランプ印加電圧時と高ランプ印加電圧時でのSiO_xキャップ膜の効果を検討した。(著者抄録)

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *半導体薄膜 ,  *RTA【熱処理】 ,  *酸化ケイ素 ,  *保護膜 ,  *結晶化 ,  膜厚 ,  反応性スパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  チャネル ,  半導体材料 ,  Ramanスペクトル ,  X線回折 ,  結晶構造 ,  優先配向 ,  表面性状
準シソーラス用語： フラッシュランプアニール

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (16件)：

• S.M.Sze ′′Semiconductor Devices:Physics and Technology′′ Physics and Technology Wiley, New York, p.513, 1985.
• N.Matsuo,Y.Aya,T.Kanamori,T.Nouda,H.Hamada and T.Miyoshi,′′Study of Crystal Growth Mechanism for Poly-Si Film Prepared by ELA,′′ Japanese Journal of Applied Physics,vol.39,no.2A,pp.351-356,2000.
• N.Matsuo, T.Mochizuki, S.Miyamoto, K.Kanda, N.Tanaka and N.Kawamoto. ′′Crystallization by Soft X-Ray Irradiation,′′ AM-LCD, July6-8 (2005) pp.293-394.
• Naoya Kawamoto, Atsushi Masuda, Naoto Matsuo, Yasuhiro Seri, Toshimasa Nishimori, Yoshitaka Kitamon, Hideki Matsumura, Hiroki Hamada and Tadaki Miyoshi., ′′Grain Enlargement of Polycrystalline Silicon by Multipulse Excimer Laser Annealing: Role of Hydrogen,′′ Jpn. J. Appl. Phys. Vol.45, No.4A, pp.2726-2730, 2006.
• Akira Heya, Naoto Matsuo, Hideki Matsumura and Naoya Kawamoto., ′′Effect of Hydrogen on Secondary Grain Growth of Polycrystalline Silicon Films by Excimer Laser Annealing in Low-Temperature Process′′ Jpn. J. Appl. Phys. Vol.45, No.9A, pp.6908-6910, 2006.

タイトルに関連する用語 (4件)： Ge ,  薄膜 ,  結晶化 ,  キャップ層