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J-GLOBAL ID：200902286846662874   整理番号：06A0789404

低温プロセスにおけるエキシマレーザアニーリングによる多結晶けい素膜の二次結晶粒成長に及ぼす水素の効果

Effect of Hydrogen on Secondary Grain Growth of Polycrystalline Silicon Films by Excimer Laser Annealing in Low-Temperature Process

著者 (4件)： HEYA Akira (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  MATSUO Naoto (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  MATSUMURA Hideki (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST), Ishikawa, JPN) ,  KAWAMOTO Naoya (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 45  号： 9A  ページ： 6908-6910  発行年： 2006年09月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エキシマレーザアニーリングによる非晶質けい素(a-Si)の結...

シソーラス用語： *レーザアニーリング ,...

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分類 (3件)： 固相転移  (BL04020G) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (9件)：

• R. S. Sposili and J. S. Im: Appl. Phys. Lett.69(1996)2864.
• C. H. Oh, M. Ozawa and H. Matsumura: Jpn. J. Appl. Phys.37(1998) L492.
• T. Sameshima, M. Hara and S. Usui: Jpn. J. Appl. Phys.28(1989)1789.
• N. Matsuo, Y. Aya, T. Kanamori, T. Nouda, H. Hamada and T. Miyoshi: Jpn. J. Appl. Phys.39(2000)351.
• N. Kawamoto, N. Matsuo, H. Abe, F. Anwer, I. Hasegawa, K. Yamano and H. Hamada: Jpn. J. Appl. Phys.43(2004)293.

タイトルに関連する用語 (5件)： 低温プロセス ,  多結晶 ,  けい素膜 ,  結晶粒成長 ,  水素