コスト効果の高い最小製造プロセスを用いた円形シリコン・オン・インシュレータ振動板上に作製したpチャネル金属酸化膜半導体電界効果トランジスタのピエゾ抵抗効果の検討

LIU Yongxun; TANAKA Hiroyuki; TANAKA Hiroyuki; UMEYAMA Norio; UMEYAMA Norio; KOGA Kazuhiro; KOGA Kazuhiro; KHUMPUANG Sommawan; KHUMPUANG Sommawan; NAGAO Masayoshi; MATSUKAWA Takashi; HARA Shiro; HARA Shiro

文献

J-GLOBAL ID：201802223558521301 整理番号：18A1330525

コスト効果の高い最小製造プロセスを用いた円形シリコン・オン・インシュレータ振動板上に作製したpチャネル金属酸化膜半導体電界効果トランジスタのピエゾ抵抗効果の検討

Investigation of piezoresistive effect in p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors fabricated on circular silicon-on-insulator diaphragms using cost-effective minimal-fab process

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資料名：

Japanese Journal of Applied Physics (Japanese Journal of Applied Physics)

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巻： 57 号： 6S1 ページ： 06HD03.1-06HD03.6 発行年： 2018年06月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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C. S. Smith, Phys. Rev. 94, 42 (1954).
D. Colman, R. T. Bate, and J. P. Mize, J. Appl. Phys. 39, 1923 (1968).
A. P. Dorey and T. S. Maddern, Solid-State Electron. 12, 185 (1969).
A. P. Dorey, Solid-State Electron. 18, 295 (1975).
H. Mikoshiba, Solid-State Electron. 24, 221 (1981).

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