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J-GLOBAL ID:201802223977211942   整理番号:18A1669527

Si添加DLC薄膜への窒素添加の効果

Effects of nitrogen doping on the properties of Si-doped DLC films
著者 (10件):
資料名:
巻: 118  号: 179(CPM2018 8-19)  ページ: 1-6  発行年: 2018年08月02日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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希釈ガスにH2を用いたプラズマ化学気相成長法により作製したSi添加DLC(Si-DLC)薄膜の化学結合状態,電気的・光学的・機械的特性への窒素(N)添加効果について調べた。SiおよびNを共添加したDLC(Si-N-DLC)薄膜は窒素添加DLC(N-DLC)薄膜と比べて光学バンドギャップは大きかった。またSi-N-DLC薄膜の光学バンドギャップはN含有量の増加に伴い増加するのに対して,N-DLCの光学バンドギャップは減少した。また,Si-N-DLC/p型Siのヘテロ接合のI-V特性は整流性を示さなかったが,真空中ポストアニール後良好な整流特性を示した。(著者抄録)
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分類 (2件):
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半導体薄膜  ,  固体デバイス材料 
引用文献 (7件):
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