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J-GLOBAL ID：201802231001130947   整理番号：18A2161639

有機金属気相エピタクシーによりホモエピタキシャル成長させたSchottky障壁ダイオードのための高純度c面およびm面GaN層の比較

Comparing high-purity c- and m-plane GaN layers for Schottky barrier diodes grown homoepitaxially by metalorganic vapor phase epitaxy

著者 (10件)： NAGAMATSU Kentaro (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ANDO Yuto (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  YE Zheng (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  BARRY Ousmane I (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TANAKA Atsushi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  DEKI Manato (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  NITTA Shugo (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  HONDA Yoshio (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  PRISTOVSEK Markus (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  AMANO Hiroshi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 10  ページ： 105501.1-105501.6  発行年： 2018年10月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN垂直Schottky障壁ダイオード(SBD)を,石英フリー流路(FC)を用いて,有機金属気相エピタクシー(MOVPE)によりm面GaN基板上に成長させた。石英FCを使って従来の反応器を用いて得られた濃度と比較して,石英フリーFCの使用は,シリコンおよび炭素の不純物濃度をそれぞれ2倍及び10倍減少させた。酸素濃度は層厚の増加と共に減少することが分かった。同じ成長条件下でc面GaN基板上に成長させたものと同様にm面GaN基板上に成長させたエピタキシャル層に対して同じ不純物濃度を達成した。不純物濃度を下げることにより,意図的にドープされていないGaNの高い抵抗率を達成した。さらに,m面GaNにおける低不純物濃度の更なる理解のために,n型GaNをm面GaN基板とドリフト層の間に挿入した。結果は,c面及びm面破壊電圧と漏れ電流が類似の傾向を持つことを明らかにした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： MOCVD ,  *ホモエピタクシー ,  Schottky障壁ダイオード ,  純度 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  エピタクシー ,  不純物濃度 ,  電気抵抗率 ,  *半導体薄膜 ,  *薄膜成長
準シソーラス用語： 有機金属気相エピタキシー ,  高純度 ,  窒化物半導体 ,  エピタキシャル成長

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (24件)：

• T. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. 39, 413 (2000).
• K. Matocha, V. Tilak, and G. Dunne, Appl. Phys. Lett. 90, 123511 (2007).
• O. I. Barry, A. Tanaka, K. Nagamatsu, S.-Y. Bae, K. Lekhal, J. Matsushita, M. Deki, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano, J. Cryst. Growth 468, 552 (2017).
• A. Tanaka, O. I. Barry, K. Nagamatsu, J. Matsushita, M. Deki, Y. Ando, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano, Phys. Status Solidi A 214, 1600829 (2017).
• R. M. Farrell, E. C. Young, F. Wu, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Semicond. Sci. Technol. 27, 024001 (2012).

タイトルに関連する用語 (6件)： 有機金属気相エピタクシー ,  ホモ ,  エピタキシャル成長 ,  Schottky障壁ダイオード ,  高純度 ,  GaN