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J-GLOBAL ID：201802235525769200   整理番号：18A0917675

高ホール移動度(450 cm² V^-1 s^-1)を有する絶縁体上のGe薄膜のための先進的な固相結晶化

Advanced solid-phase crystallization for high-hole mobility (450 cm² V^-1 s^-1) Ge thin film on insulator

著者 (4件)： YOSHIMINE Ryota (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  MOTO Kenta (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  SUEMASU Takashi (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  TOKO Kaoru (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 11  号： 3  ページ： 031302.1-031302.4  発行年： 2018年03月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 固相結晶化されたGe層のホール移動度は,Geの堆積温度(50-200°C)およびGeの厚さ(50-500nm)を制御し,500°Cでポストアニールを適用することによって著しく改善された。得られた正孔移動度-450 cm² V^-1 s^-1-は,ガラス上に直接形成された半導体層の中で現在までに報告された最高値である。移動度向上のメカニズムを,粒界散乱,界面散乱,不純物散乱という3つのキャリア散乱因子の観点から考察された。単純な製造プロセスによって形成された高ホール移動度Ge層は,高速薄膜トランジスタに有用である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *Hall移動度 ,  *ゲルマニウム ,  *半導体薄膜 ,  *固相成長 ,  *焼なまし ,  絶縁体 ,  散乱 ,  キャリア散乱 ,  *薄膜トランジスタ ,  結晶粒界
準シソーラス用語： ポストアニーリング ,  界面散乱 ,  不純物散乱

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (41件)：

• A. Nayfeh, C. O. Chui, T. Yonehara, and K. C. Saraswat, IEEE Electron Device Lett. 26, 311 (2005).
• D. P. Brunco, B. De Jaeger, G. Eneman, J. Mitard, G. Hellings, A. Satta, V. Terzieva, L. Souriau, F. E. Leys, G. Pourtois, M. Houssa, G. Winderickx, E. Vrancken, S. Sioncke, K. Opsomer, G. Nicholas, M. Caymax, A. Stesmans, J. Van Steenbergen, P. W. Mertens, M. Meuris, and M. M. Heyns, J. Electrochem. Soc. 155, H552 (2008).
• R. Pillarisetty, Nature 479, 324 (2011).
• R. Zhang, T. Iwasaki, N. Taoka, M. Takenaka, and S. Takagi, IEEE Trans. Electron Devices 59, 335 (2012).
• K. Yamamoto, T. Sada, D. Wang, and H. Nakashima, Appl. Phys. Lett. 103, 122106 (2013).

タイトルに関連する用語 (6件)： ホール移動度 ,  絶縁体 ,  Ge ,  薄膜 ,  固相 ,  結晶化