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J-GLOBAL ID：201802245977236796   整理番号：18A0994660

II型HfS₂/MoS₂ヘテロ接合トランジスタ

Type-II HfS₂/MoS₂ Heterojunction Transistors

著者 (6件)： NETSU Seiko (Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology) ,  KANAZAWA Toru (Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology) ,  UWANNO Teerayut (Department of Materials Engineering, The University of Tokyo) ,  AMEMIYA Tomohiro (Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology) ,  NAGASHIO Kosuke (Department of Materials Engineering, The University of Tokyo) ,  MIYAMOTO Yasuyuki (Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Web)  (IEICE Transactions on Electronics (Web))
巻： E101.C  号： 5  ページ： 338-342(J-STAGE)  発行年： 2018年 
JST資料番号： U0468A  ISSN： 1745-1353  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 縦型p⁺-MoS₂/n-HfS₂van der Waals(vdW)ヘテロ構造配置におけるトランジスタ動作を初めて実験的に実証した。HfS₂/MoS₂ヘテロ接合トランジスタは,10⁴のオン/オフ比と20nAの最大ドレイン電流を示した。これらの値は,vdWヘテロ接合TFETの類似の報告値と同程度であった。さらに,HfS₂/MoS₂トランジスタのサブ閾値勾配(SS)に及ぼす大気曝露の影響を研究した。パシベーション有,無のデバイスを,それらのSS値およびI_DS-V_GSヒステリシスに関して比較した。パシベーション無のHfS₂/MoS₂ヘテロ接合トランジスタは最小SS値が2000mV/decであったが,20nm厚HfO₂膜のパシベーション有の同じ素子は,700mV/decのずっと低いSS値を示した。HfO₂パシベーションは,大気の水分と酸素によって引き起こされる汚染から素子を保護し,また表面トラップの効果を減少した。これらの発見は,HfS₂ベースのvdWヘテロ接合TFETの実用的な実現に寄与すると思われる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ハフニウム化合物 ,  *硫化モリブデン ,  *FET【トランジスタ】 ,  積層構造 ,  比率 ,  トランジスタ ,  閾値 ,  *不動態化 ,  サブ閾値 ,  *硫化モリブデン(IV) ,  *改変
準シソーラス用語： TFET ,  van der Waalsヘテロ構造 ,  オンオフ比 ,  *パッシベーション ,  *二硫化モリブデン ,  *ヘテロ接合FET

著者キーワード (5件)： TMDC ,  MOS_2 ,  HFS2 ,  トンネルFET ,  ヘテロ接合

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (10件)：

• [1] T. Roy, M. Tosun, X. Cao, H. Fang, D.-H. Lien, P. Zhao, Y.-Z. Chen, Y.-L. Chueh, J. Guo, and A. Javey, “Dual-gated MoS₂/WSe₂ van der Waals tunnel diodes and transistors,” ACS Nano, vol.9, no.2, pp.2071-2079, 2015. 10.1021/nn507278b
• [2] T. Roy, M. Tosun, M. Hettick, G.H. Ahn, C. Hu, and A. Javey, “2D-2D tunneling field effect transistors using WSe₂/SnSe₂ heterostructures,” Appl. Phys. Lett., vol.108, no.8, 083111, 2016. 10.1063/1.4942647
• [3] D. Sarkar, X. Xie, W. Liu, W. Cao, J. Kang, Y. Gong, S. Kraemer, P.M. Ajayan, and K. Banerjee, “A subthermionic tunnel field-effect transistor with an atomically thin channel,” Nature, vol.526, no.7571, pp.91-95, 2015. 10.1038/nature15387
• [4] C. Gong, H. Zhang, W. Wang, L. Colombo, R.M. Wallace, and K. Cho, Erratum, “Band alignment of two-dimensional transition metal dichalcogenides: Application in tunnel field effect transistors,” Appl. Phys. Lett., vol.107, no.13, 139904, 2015. 10.1063/1.4932088
• [5] T. Uwanno, Y. Hattori, T. Taniguchi, K. Watanabe, and K. Nagashio, “Fully dry PMMA transfer of graphene on h-BN using a heating/cooling system,” 2D Mater., vol.2, no.4, 41002, 2015. 10.1088/2053-1583/2/4/041002

タイトルに関連する用語 (3件)： MoS2 ,  ヘテロ接合 ,  トランジスタ