抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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スピント型エミッタは真空電子源のひとつである。この陰極は,上部にホールの開いた微細キャビティを基板上に形成し,ホールを通して陰極材料となる金属をキャビティ内部に堆積させて形成する。従来この堆積には真空蒸着法が用いられていたが,大面積化が困難,高融点金属では引っ張り応力緩和のために基板加熱が必要,などの制約があった。本研究では,粒子の入射方向やエネルギーの制御が可能な大電力パルススパッタ装置を用いた。高融点金属であるMoの陰極を形成できたが,逆に圧縮応力が強くなって膜が剥がれることが多く,デバイスを安定して作製することが困難であった。本研究では放電ガスにKrを用いて内部応力の緩和を試み,Arの場合と比較した。また基板に様々な値の負電圧を印加し,膜に生じる内部応力や陰極構造に与える影響について評価した。(著者抄録)